CAPIZZI, Mario

CAPIZZI, Mario  

DIPARTIMENTO DI FISICA  

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A micrometer-size movable light emitting area in a resonant tunneling light emitting diode 2013 Pettinari, Giorgio; N., Balakrishnan; O., Makarovsky; R. P., Campion; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; A., Patane
a-Si1-xGex:H Alloys for Solar Cells 1987 L., Mariucci; F., Ferrazza; D., DELLA SALA; Capizzi, Mario; F., Evangelisti; U., Coscia
ABOVE BARRIER EXCITON CONFINEMENT IN INGAAS/GAAS MULTIPLE-QUANTUM-WELL STRUCTURES 1994 Capizzi, Mario; Polimeni, Antonio; Frova, Andrea; F., Martelli; K. B., Ozanyan; T., Worren; M. R., Bruni; M. G., Simeone
Absence of a Critical Thickness for the Self-aggregation of Quantum Dots in InAs/GaAs Quantum Wells 1997 A., Patane'; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; F., Martelli; L., Lazzarini; G., Salviati; L., Nasi
Absorption Edge and Structural Phase Transition in SrTiO3 1972 Capizzi, Mario; Frova, Andrea
An all optical mapping of the strain field in GaAsN/GaAsN:H wires 2012 M., Geddo; E., Giulotto; M. S., Grandi; M., Patrini; Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; F., Martelli; S., Rubini
Atomic equilibrium concentrations in (InGa)As quantum dots 2001 M., Galluppi; Frova, Andrea; Capizzi, Mario; F., Boscherini; P., Frigeri; S., Franchi; A., Passaseo
Atomic ordering in (InGa)(AsN) quantum wells: An in K-edge x-ray absorption investigation 2003 G., Ciatto; F., Boscherini; F., D'Acapito; S., Mobilio; H. V. H. G., Baldassarri; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; D., Gollub; A., Forchel
Band-gap profiling by laser writing of hydrogen-containing III-N-Vs 2012 N., Balakrishnan; Pettinari, Giorgio; O., Makarovsky; L., Turyanska; M. W., Fay; DE LUCA, Marta; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; F., Martelli; S., Rubini; A., Patane
Bandgap energy of wurtzite InAs nanowires 2016 Rota, Michele; Ameruddin, Amira S.; Fonseka, H. Aruni; Gao, Qiang; Mura, Francesco; Polimeni, Antonio; Miriametro, Antonio; Tan, H. Hoe; Jagadish, Chennupati; Capizzi, Mario
BaYCuO: Electrodynamics of Crystals with High Reflectivity 1988 G. A., Thomas; J., Orenstein; D. H., Rapkine; Capizzi, Mario; A., Millis; R. N., Bhatt; L. F., Schneemeyer; J. V., Waszczak
Behavior of hydrogen in InN investigated in real time exploiting spectroscopic ellipsometry 2007 Maria, Losurdo; MARIA M., Giangregorio; Giovanni, Bruno; TONG HO, Kim; Soojeong, Choi; APRIL S., Brown; Pettinari, Giorgio; Capizzi, Mario; Polimeni, Antonio
Bi-induced p-type conductivity in nominally undoped Ga(AsBi) 2012 Pettinari, Giorgio; A., Patane; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; Xianfeng, Lu; T., Tiedje
Bi_2Sr_2Ca_nCu_(n+1)O_(2n+6) Optical Conductivity 1990 Calvani, Paolo; Capizzi, Mario; A., Fabrizi; Grilli, Marco; Lupi, Stefano; Maselli, Paola; D., Peschiaroli; A., Pompa; H., KATAYAMA YOSHIDA
Binding Energy and Lifetime of Excitons in InGaAs/GaAs Quantum Wells 1997 D., Orani; Polimeni, Antonio; A., Patane'; Capizzi, Mario; F., Martelli; A., D'Andrea; N., Tomassini; P., Borri; M., Gurioli; M., Colocci
Binding energy and lifetime of excitons in InxGa1-xAs/GaAs quantum wells 1997 Orani, D; Polimeni, A; Patane, A; Capizzi, M; Martelli, F; D'Andrea, A; Tomassini, N; Borri, P; Gurioli, M; Colocci, M
Broadband enhancement of light-matter interaction in photonic crystal cavities integrating site-controlled quantum dots 2020 Felici, Marco; Pettinari, Giorgio; Biccari, Francesco; Boschetti, Alice; Younis, Saeed; Birindelli, Simone; Gurioli, Massimo; Vinattieri, Anna; Gerardino, Annamaria; Businaro, Luca; Hopkinson, Mark; Rubini, Silvia; Capizzi, Mario; Polimeni, Antonio
C2v nitrogen-hydrogen complexes in GaAsN revealed by X-ray absorption near-edge spectroscopy and ab initio simulations 2006 G., Ciatto; F., Boscherini; A. A., Bonapasta; F., Filippone; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario
Carrier localization in (InGa)(AsN) alloys 2005 Polimeni, Antonio; A., Vinattieri; M., Zamfirescu; F., Masia; Capizzi, Mario
Carrier mass measurements in degenerate indium nitride 2009 G., Pettinari; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; J. H., Blokland; P. C. M., Christianen; J. C., Maan; V., Lebedev; V., Cimalla; O., Ambacher