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The effects of low-energy irradiation by light ions (H and He) on the properties of In-rich InxGa1−xN alloys are investigated by optical and structural techniques. H-irradiation gives rise to a remarkable blue-shift of light emission and absorption edge energies. X-ray absorption measurements and first-principle calculations address the microscopic origin of these effects.
Tuning of the optical properties of In-rich In[sub x]Ga[sub 1−x]N (x=0.82−0.49) alloys by light-ion irradiation at low energy / DE LUCA, M., Pettinari, G., Polimeni, A., Capizzi, M., Gianluca, C., Lucia, A., Emiliano, F., Federico, B., Francesco, F., Aldo Amore, B., Knübel, A., Cimalla, V., Ambacher, O., Aldo Amore, B., Andreas, K., Volker, C., Oliver, A., Damiano, G., Massimo, B.. - In: AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. - ISSN 0094-243X. - STAMPA. - 93:(2013), pp. 93-94. (THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012 Zurich, Switzerland 29 July–3 August 2012) [10.1063/1.4848301].
Tuning of the optical properties of In-rich In[sub x]Ga[sub 1−x]N (x=0.82−0.49) alloys by light-ion irradiation at low energy
The effects of low-energy irradiation by light ions (H and He) on the properties of In-rich InxGa1−xN alloys are investigated by optical and structural techniques. H-irradiation gives rise to a remarkable blue-shift of light emission and absorption edge energies. X-ray absorption measurements and first-principle calculations address the microscopic origin of these effects.
THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012
04 Pubblicazione in atti di convegno::04c Atto di convegno in rivista
Tuning of the optical properties of In-rich In[sub x]Ga[sub 1−x]N (x=0.82−0.49) alloys by light-ion irradiation at low energy / DE LUCA, M., Pettinari, G., Polimeni, A., Capizzi, M., Gianluca, C., Lucia, A., Emiliano, F., Federico, B., Francesco, F., Aldo Amore, B., Knübel, A., Cimalla, V., Ambacher, O., Aldo Amore, B., Andreas, K., Volker, C., Oliver, A., Damiano, G., Massimo, B.. - In: AIP CONFERENCE PROCEEDINGS. - ISSN 0094-243X. - STAMPA. - 93:(2013), pp. 93-94. (THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS: Proceedings of the 31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS) 2012 Zurich, Switzerland 29 July–3 August 2012) [10.1063/1.4848301].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/540045
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
