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Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM / C., Cagli; J., Buckley; V., Jousseaume; T., Cabout; A., Salaun; H., Grampeix; J. F., Nodin; H., Feldis; A., Persico; J., Cluzel; Lorenzi, Paolo; L., Massari; Rao, Rosario; Irrera, Fernanda; F., Aussenac; C., Carabasse; M., Coue; P., Calka; E., Martinez; L., Perniola; P., Blaise; Z., Fang; Y. H., Yu; G., Ghibaudo; D., Deleruyelle; M., Bocquet; C., Muller; A., Padovani; O., Pirrotta; L., Vandelli; L., Larcher; G., Reimbold; B., De Salvo. - (2011), pp. 28.7.1-28.7.4. (Intervento presentato al convegno 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC, USA) [10.1109/iedm.2011.6131634].
Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM
C. Cagli;J. Buckley;V. Jousseaume;T. Cabout;A. Salaun;H. Grampeix;J. F. Nodin;H. Feldis;A. Persico;J. Cluzel;LORENZI, PAOLO;L. Massari;RAO, ROSARIO;IRRERA, Fernanda;F. Aussenac;C. Carabasse;M. Coue;P. Calka;E. Martinez;L. Perniola;P. Blaise;Z. Fang;Y. H. Yu;G. Ghibaudo;D. Deleruyelle;M. Bocquet;C. Muller;A. Padovani;O. Pirrotta;L. Vandelli;L. Larcher;G. Reimbold;B. De Salvo
2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM / C., Cagli; J., Buckley; V., Jousseaume; T., Cabout; A., Salaun; H., Grampeix; J. F., Nodin; H., Feldis; A., Persico; J., Cluzel; Lorenzi, Paolo; L., Massari; Rao, Rosario; Irrera, Fernanda; F., Aussenac; C., Carabasse; M., Coue; P., Calka; E., Martinez; L., Perniola; P., Blaise; Z., Fang; Y. H., Yu; G., Ghibaudo; D., Deleruyelle; M., Bocquet; C., Muller; A., Padovani; O., Pirrotta; L., Vandelli; L., Larcher; G., Reimbold; B., De Salvo. - (2011), pp. 28.7.1-28.7.4. (Intervento presentato al convegno 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC, USA) [10.1109/iedm.2011.6131634].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/439331
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
