Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM / C., Cagli; J., Buckley; V., Jousseaume; T., Cabout; A., Salaun; H., Grampeix; J. F., Nodin; H., Feldis; A., Persico; J., Cluzel; Lorenzi, Paolo; L., Massari; Rao, Rosario; Irrera, Fernanda; F., Aussenac; C., Carabasse; M., Coue; P., Calka; E., Martinez; L., Perniola; P., Blaise; Z., Fang; Y. H., Yu; G., Ghibaudo; D., Deleruyelle; M., Bocquet; C., Muller; A., Padovani; O., Pirrotta; L., Vandelli; L., Larcher; G., Reimbold; B., De Salvo. - (2011), pp. 28.7.1-28.7.4. (Intervento presentato al convegno 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC, USA) [10.1109/iedm.2011.6131634].

Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM

LORENZI, PAOLO;RAO, ROSARIO;IRRERA, Fernanda;
2011

2011
2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Experimental and Theoretical Study of Electrode Effects in HfO2 based RRAM / C., Cagli; J., Buckley; V., Jousseaume; T., Cabout; A., Salaun; H., Grampeix; J. F., Nodin; H., Feldis; A., Persico; J., Cluzel; Lorenzi, Paolo; L., Massari; Rao, Rosario; Irrera, Fernanda; F., Aussenac; C., Carabasse; M., Coue; P., Calka; E., Martinez; L., Perniola; P., Blaise; Z., Fang; Y. H., Yu; G., Ghibaudo; D., Deleruyelle; M., Bocquet; C., Muller; A., Padovani; O., Pirrotta; L., Vandelli; L., Larcher; G., Reimbold; B., De Salvo. - (2011), pp. 28.7.1-28.7.4. (Intervento presentato al convegno 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) tenutosi a Washington, DC, USA) [10.1109/iedm.2011.6131634].
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