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Continuous-wave and time-resolved photoluminescence at low temperatures is investigated in near-surface quantum wells, where carrier tunneling to surface states reduces the el-hhl excitonic emission efficiency. Analysis of the time-resolved spectra points to a behavior for strained InGaAs/GaAs structures different from AlGaAs/GaAs interfaces, in that tunneling occurs not only from the free-carrier continuum, but also from the exciton ground state.
Transient Tunneling Currents in Near-surface Quantum Wells / B., Bonanni; Capizzi, Mario; R., Dioletta; V., Emiliani; A., Frova; Presilla, Carlo; M., Colocci; M., Gurioli; A., Vinattieri; F., Martelli; Y. L., Chang; J. L., Merz; S. S., Stone. - 2:(1995), pp. 1043-1046. (Intervento presentato al convegno The Physiscs of Semiconductors - 22nd International Conference tenutosi a Vancouver, Canada).
Transient Tunneling Currents in Near-surface Quantum Wells
B. BONANNI;CAPIZZI, Mario;R. DIOLETTA;V. EMILIANI;A. FROVA;PRESILLA, Carlo;M. COLOCCI;M. GURIOLI;A. VINATTIERI;F. MARTELLI;Y. L. CHANG;J. L. MERZ;S. S. STONE
1995
Abstract
Continuous-wave and time-resolved photoluminescence at low temperatures is investigated in near-surface quantum wells, where carrier tunneling to surface states reduces the el-hhl excitonic emission efficiency. Analysis of the time-resolved spectra points to a behavior for strained InGaAs/GaAs structures different from AlGaAs/GaAs interfaces, in that tunneling occurs not only from the free-carrier continuum, but also from the exciton ground state.
The Physiscs of Semiconductors - 22nd International Conference
time-resolved photoluminescence at low temperatures; quantum tunneling
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Transient Tunneling Currents in Near-surface Quantum Wells / B., Bonanni; Capizzi, Mario; R., Dioletta; V., Emiliani; A., Frova; Presilla, Carlo; M., Colocci; M., Gurioli; A., Vinattieri; F., Martelli; Y. L., Chang; J. L., Merz; S. S., Stone. - 2:(1995), pp. 1043-1046. (Intervento presentato al convegno The Physiscs of Semiconductors - 22nd International Conference tenutosi a Vancouver, Canada).
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/242575
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
