Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam heteroepitaxy / M., L., M. M., G., G., B., T. H., K., P., W.u., S., C., A., B., F., M., Capizzi, M., Polimeni, A.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 90:(2007), pp. 011910-1-011910-3. [10.1063/1.2424664]

Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam heteroepitaxy

CAPIZZI, Mario;POLIMENI, Antonio
2007

2007
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam heteroepitaxy / M., L., M. M., G., G., B., T. H., K., P., W.u., S., C., A., B., F., M., Capizzi, M., Polimeni, A.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 90:(2007), pp. 011910-1-011910-3. [10.1063/1.2424664]
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