Catalogo dei prodotti della ricerca

Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam heteroepitaxy / M., Losurdo; M. M., Giangregorio; G., Bruno; T. H., Kim; P., Wu; S., Choi; A., Brown; F., Masia; Capizzi, Mario; Polimeni, Antonio. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 90:(2007), pp. 011910-1-011910-3. [10.1063/1.2424664]

Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam heteroepitaxy

CAPIZZI, Mario;POLIMENI, Antonio
2007
2007
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Characteristics of InN grown on SiC under the In-rich regime by molecular beam heteroepitaxy / M., Losurdo; M. M., Giangregorio; G., Bruno; T. H., Kim; P., Wu; S., Choi; A., Brown; F., Masia; Capizzi, Mario; Polimeni, Antonio. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - STAMPA. - 90:(2007), pp. 011910-1-011910-3. [10.1063/1.2424664]
01a Articolo in rivista
File allegati a questo prodotto
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/233816
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 14
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 16
social impact