Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures / M., Gurioli; M., Zamfirescu; A., Vinattieri; S., Sanguinetti; E., Grilli; M., Guzzi; S., Mazzucato; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; L., Seravalli; P., Frigeri; S., Franchi. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 100:(2006), pp. 084313-1-084313-4. [10.1063/1.2358397]
Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures
POLIMENI, Antonio;CAPIZZI, Mario;
2006
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