Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures / M., G., M., Z., A., V., S., S., E., G., M., G., S., M., Polimeni, A., Capizzi, M., L., S., P., F., S., F.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 100:(2006), pp. 084313-1-084313-4. [10.1063/1.2358397]

Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures

POLIMENI, Antonio;CAPIZZI, Mario;
2006

2006
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Characterization of hydrogen passivated defects in strain-engineered semiconductor quantum dot structures / M., G., M., Z., A., V., S., S., E., G., M., G., S., M., Polimeni, A., Capizzi, M., L., S., P., F., S., F.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 100:(2006), pp. 084313-1-084313-4. [10.1063/1.2358397]
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