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We present a numerical investigation of the conductance and shot noise behavior of a cascade of realistic tunnel barriers, defined in a GaAs/AlGaAs heterostructure using negatively biased depletion gates. We show that, even in the presence of irregularities in the gate boundaries, strong localization dominates the transport through the device and consequently the shot noise suppression factor does not approach, increasing the number of barriers, the 1/3 limit characteristic of diffusive conductors.
Transport and noise behavior of cascaded realistic tunnel barriers / Totaro, M; Marconcini, Paolo; Logoteta, Demetrio; Macucci, Massimo. - (2009), pp. 500-503. (Intervento presentato al convegno 9th IEEE Conference on Nanotechnology, IEEE NANO 2009 tenutosi a Genova, Italy).
Transport and noise behavior of cascaded realistic tunnel barriers
We present a numerical investigation of the conductance and shot noise behavior of a cascade of realistic tunnel barriers, defined in a GaAs/AlGaAs heterostructure using negatively biased depletion gates. We show that, even in the presence of irregularities in the gate boundaries, strong localization dominates the transport through the device and consequently the shot noise suppression factor does not approach, increasing the number of barriers, the 1/3 limit characteristic of diffusive conductors.
9th IEEE Conference on Nanotechnology, IEEE NANO 2009
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Transport and noise behavior of cascaded realistic tunnel barriers / Totaro, M; Marconcini, Paolo; Logoteta, Demetrio; Macucci, Massimo. - (2009), pp. 500-503. (Intervento presentato al convegno 9th IEEE Conference on Nanotechnology, IEEE NANO 2009 tenutosi a Genova, Italy).
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/1675134
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
