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We describe a numerical method which allows to self-consistently simulate the effect of boron doping in graphene-based field-effect-transistors, using a tight-binding description with a proper distribution of fixed charges. Using this simulation technique, we show, in the case of field-effect transistors based on narrow graphene nanoribbons, that low boron doping concentrations generate a clear electron-hole asymmetry in the transfer characteristics of the device.
Effect of boron doping on the characteristics of graphene FETs / Marconcini, Paolo; Cresti, Alessandro; Triozon, François; Biel, Blanca; Niquet, Yann Michel; Logoteta, Demetrio; Roche, Stephan. - 8:(2012), pp. 254-259. (Intervento presentato al convegno 3rd International Conference on Circuits, Systems, Control, Signals (CSCS '12) tenutosi a Barcellona (Spagna)).
Effect of boron doping on the characteristics of graphene FETs
MARCONCINI, PAOLO;Cresti, Alessandro;Triozon, François;Biel, Blanca;Niquet, Yann Michel;LOGOTETA, DEMETRIO;Roche, Stephan
2012
Abstract
We describe a numerical method which allows to self-consistently simulate the effect of boron doping in graphene-based field-effect-transistors, using a tight-binding description with a proper distribution of fixed charges. Using this simulation technique, we show, in the case of field-effect transistors based on narrow graphene nanoribbons, that low boron doping concentrations generate a clear electron-hole asymmetry in the transfer characteristics of the device.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/1675126
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
