Drain-Backgate-Enhanced TFET Bases on In-Plane MoTe2/MoS2 Heterojunction / Choukroun, J; Logoteta, D; Pala, M; Dollfus, P. - (2019). (Intervento presentato al convegno International Workshop on Computational Nanotechnology 2019 (IWCN 2019) tenutosi a Evanston, Illinois, USA).

Drain-Backgate-Enhanced TFET Bases on In-Plane MoTe2/MoS2 Heterojunction

Logoteta D;
2019

2019
International Workshop on Computational Nanotechnology 2019 (IWCN 2019)
04 Pubblicazione in atti di convegno::04d Abstract in atti di convegno
Drain-Backgate-Enhanced TFET Bases on In-Plane MoTe2/MoS2 Heterojunction / Choukroun, J; Logoteta, D; Pala, M; Dollfus, P. - (2019). (Intervento presentato al convegno International Workshop on Computational Nanotechnology 2019 (IWCN 2019) tenutosi a Evanston, Illinois, USA).
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