Drain-Backgate-Enhanced TFET Bases on In-Plane MoTe2/MoS2 Heterojunction / Choukroun, J., Logoteta, D., Pala, M., Dollfus, P.. - (2019). (International Workshop on Computational Nanotechnology 2019 (IWCN 2019) Evanston, Illinois, USA ).
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