Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs / Logoteta, D., Cavassilas, N., Pala, M., Cresti, A., Bescond, M.. - (2017). (International Workshop on Computational Nanotechnology 2017 (IWCN 2017) Windermere (UK) ).
Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs
Logoteta D;
2017
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