Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs / Logoteta, D; Cavassilas, N; Pala, M; Cresti, A; Bescond, M. - (2017). (Intervento presentato al convegno International Workshop on Computational Nanotechnology 2017 (IWCN 2017) tenutosi a Windermere (UK)).
Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs
Logoteta D;
2017
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