Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs / Logoteta, D; Cavassilas, N; Pala, M; Cresti, A; Bescond, M. - (2017). (Intervento presentato al convegno International Workshop on Computational Nanotechnology 2017 (IWCN 2017) tenutosi a Windermere (UK)).

Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs

Logoteta D;
2017

2017
International Workshop on Computational Nanotechnology 2017 (IWCN 2017)
04 Pubblicazione in atti di convegno::04d Abstract in atti di convegno
Impact of the gate and external insulator thickness on the static characteristics of ultra-scaled silicon nanowire FETs / Logoteta, D; Cavassilas, N; Pala, M; Cresti, A; Bescond, M. - (2017). (Intervento presentato al convegno International Workshop on Computational Nanotechnology 2017 (IWCN 2017) tenutosi a Windermere (UK)).
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