Physically based diagonal treatment of polar optical phonons in III-V p-type double-gate transistors: comparison of InAs vs Ge and Si / Moussavou, M., Bescond, M., Logoteta, D., Raymond, L., Cavassilas, N., Lannoo, M.. - (2017). (International Workshop on Computational Nanotechnology 2017 (IWCN 2017) Windermere (UK) ).
Physically based diagonal treatment of polar optical phonons in III-V p-type double-gate transistors: comparison of InAs vs Ge and Si
Logoteta D;
2017
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