CINECA IRIS Institutional Research Information System
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishThe elastic energy loss between 60 and 300 K was measured in SiBxHy at frequencies between 2.4 and 32 kHz. A single-time relaxation process appears in the neighborhood of 130 K, which is due to the stress-induced jumps of H around B, with a relaxation time tau =[(8 +/- 4) X 10(-14)s] X exp[(0.22 +/- 0.01 eV)/kT]. The elastic interactions among the B-H complexes do not appear to affect the H jumps within the experimental error, and an upper limit of less than 10 meV is set for the random shifts of the H site energies due to such interactions.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
| Titolo: | REORIENTATION OF THE B-H COMPLEX IN SILICON BY ANELASTIC RELAXATION EXPERIMENTS |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 1991 |
| Rivista: | |
| Citazione: | REORIENTATION OF THE B-H COMPLEX IN SILICON BY ANELASTIC RELAXATION EXPERIMENTS / G., Cannelli; Cantelli, Rosario; Capizzi, Mario; Coluzza, Carlo; F., Cordero; Frova, Andrea; A., Lo Presi. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 44:20(1991), pp. 11486-11489. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11573/15727 |
| Appare nella tipologia: | 01a Articolo in rivista |
File allegati a questo prodotto
http://hdl.handle.net/11573/15727
Copyright © 2019