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Effect of Hydrogen Implantation on Shallow and Deep Levels in MBE-GaAs / A., Bosacchi; S., Franchi; E., Gombia; R., Mosca; L., Vanzetti; P., Allegri; V., Avanzini; Capizzi, Mario; Coluzza, Carlo. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA. - ISSN 0734-211X. - STAMPA. - 7:(1989), pp. 1103-1105. [10.1116/1.584558]

Effect of Hydrogen Implantation on Shallow and Deep Levels in MBE-GaAs

CAPIZZI, Mario;COLUZZA, Carlo
1989
1989
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Effect of Hydrogen Implantation on Shallow and Deep Levels in MBE-GaAs / A., Bosacchi; S., Franchi; E., Gombia; R., Mosca; L., Vanzetti; P., Allegri; V., Avanzini; Capizzi, Mario; Coluzza, Carlo. - In: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICS PROCESSING AND PHENOMENA. - ISSN 0734-211X. - STAMPA. - 7:(1989), pp. 1103-1105. [10.1116/1.584558]
01a Articolo in rivista
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