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EnglishOptical measurements of phosphorus-doped silicon yield a donor susceptibility which can be fitted with a critical form that extrapolates to a polarization catastrophe at the insulator-metal transition. The exponent is about twice classical predictions and demonstrates the quantum nature of the transition. © 1980 The American Physical Society.
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http://hdl.handle.net/11573/15448| Titolo: | Observation of the approach to a polarization catastrophe |
| Autori interni: | CAPIZZI, Mario |
| Data di pubblicazione: | 1980 |
| Rivista: | PHYSICAL REVIEW LETTERS |
| Abstract: | Optical measurements of phosphorus-doped silicon yield a donor susceptibility which can be fitted with a critical form that extrapolates to a polarization catastrophe at the insulator-metal transition. The exponent is about twice classical predictions and demonstrates the quantum nature of the transition. © 1980 The American Physical Society. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11573/15448 |
| Appare nelle tipologie: | 01.a Pubblicazione su Rivista |
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