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EnglishQuenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface / F., Sarto; Capizzi, Mario; Frova, Andrea. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8(1993), pp. 1231-1234.
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| Titolo: | Quenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 1993 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Quenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface / F., Sarto; Capizzi, Mario; Frova, Andrea. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8(1993), pp. 1231-1234. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11573/15194 |
| Appartiene alla tipologia: | 01a Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11573/15194
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