Quenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface / F., Sarto; Capizzi, Mario; Frova, Andrea. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8:(1993), pp. 1231-1234. [10.1088/0268-1242/8/7/008]

Quenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface

CAPIZZI, Mario;FROVA, Andrea
1993

1993
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Quenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface / F., Sarto; Capizzi, Mario; Frova, Andrea. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8:(1993), pp. 1231-1234. [10.1088/0268-1242/8/7/008]
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