Catalogo dei prodotti della ricerca
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishQuenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface / F., Sarto; Capizzi, Mario; Frova, Andrea. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8(1993), pp. 1231-1234. [10.1088/0268-1242/8/7/008]
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
| Titolo: | Quenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1993 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | Quenching of Excitonic Lines in GaAs Due to Deuterium Accumulation at the Epilayer/Substrate Interface / F., Sarto; Capizzi, Mario; Frova, Andrea. - In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. - ISSN 0268-1242. - STAMPA. - 8(1993), pp. 1231-1234. [10.1088/0268-1242/8/7/008] | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11573/15194 | |
| Appartiene alla tipologia: | 01a Articolo in rivista |
File allegati a questo prodotto
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11573/15194
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2021