Reduced temperature dependence of the band gap in GaAs1-yNy investigated with photoluminescence / Polimeni, Antonio; Bissiri, M; Augieri, A; BALDASSARRI H. V. H., G; Capizzi, Mario; Gollub, D; Fischer, M; Reinhardt, M; Forchel, A.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1098-0121. - STAMPA. - 65:(2002), pp. 235325-1-235325-5. [10.1103/PhysRevB.65.235325]

Reduced temperature dependence of the band gap in GaAs1-yNy investigated with photoluminescence

POLIMENI, Antonio;CAPIZZI, Mario;
2002

2002
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Reduced temperature dependence of the band gap in GaAs1-yNy investigated with photoluminescence / Polimeni, Antonio; Bissiri, M; Augieri, A; BALDASSARRI H. V. H., G; Capizzi, Mario; Gollub, D; Fischer, M; Reinhardt, M; Forchel, A.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1098-0121. - STAMPA. - 65:(2002), pp. 235325-1-235325-5. [10.1103/PhysRevB.65.235325]
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