Effect of hydrogen on the electronic properties of InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quantum wells / Polimeni, Antonio; Baldassarri, G; Capizzi, Mario; Fischer, M; Reinhardt, M; Forchel, A.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1550-235X. - STAMPA. - 63:(2001), pp. R201304-1-R201304-4. [10.1103/PhysRevB.63.201304]

Effect of hydrogen on the electronic properties of InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quantum wells

POLIMENI, Antonio;CAPIZZI, Mario;
2001

2001
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Effect of hydrogen on the electronic properties of InxGa1-xAs1-yNy/GaAs quantum wells / Polimeni, Antonio; Baldassarri, G; Capizzi, Mario; Fischer, M; Reinhardt, M; Forchel, A.. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1550-235X. - STAMPA. - 63:(2001), pp. R201304-1-R201304-4. [10.1103/PhysRevB.63.201304]
File allegati a questo prodotto
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/101322
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 110
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 102
social impact