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An optical hysteresis and nonlinear absorption of the microsecond and nanosecond laser pulse at interband excitation of different a-Si:H and a-SiC:H films are reported. To explain the experimental results a new physical model is suggested, taking into account the light interaction with nonequilibrium localized lattice vibrations anharmonically coupled with the extended phonons
Optical hysteresis and nonlinear light absorption in a-Si:H and a-SiC:H thin films / Chumash, V. N; Cojocaru, I.; Bostan, G.; Para, G.; DE CESARE, Giampiero; La Monica, S.; Maiello, G.; Ferrari, A.. - STAMPA. - 2648:(1995), pp. 23-28. (Intervento presentato al convegno Internationl Conference on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics tenutosi a Kiev, Ukraine, null nel 11-13 May 1995).
Optical hysteresis and nonlinear light absorption in a-Si:H and a-SiC:H thin films
Chumash, V. N;Cojocaru, I.;Bostan, G.;Para, G.;DE CESARE, Giampiero;La Monica, S.;Maiello, G.;Ferrari, A.
1995
Abstract
An optical hysteresis and nonlinear absorption of the microsecond and nanosecond laser pulse at interband excitation of different a-Si:H and a-SiC:H films are reported. To explain the experimental results a new physical model is suggested, taking into account the light interaction with nonequilibrium localized lattice vibrations anharmonically coupled with the extended phonons
Internationl Conference on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics
Electrical and Electronic Engineering; Condensed Matter Physics
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Optical hysteresis and nonlinear light absorption in a-Si:H and a-SiC:H thin films / Chumash, V. N; Cojocaru, I.; Bostan, G.; Para, G.; DE CESARE, Giampiero; La Monica, S.; Maiello, G.; Ferrari, A.. - STAMPA. - 2648:(1995), pp. 23-28. (Intervento presentato al convegno Internationl Conference on Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics tenutosi a Kiev, Ukraine, null nel 11-13 May 1995).
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/789238
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
