Enhanced injection in n++-poly/SiOx/SiO2/p-sub MOS capacitors for low-voltage non-volatile memory applications. Experiment / Irrera, Fernanda; Russo, F.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 46:(1999), pp. 2315-2322.

Enhanced injection in n++-poly/SiOx/SiO2/p-sub MOS capacitors for low-voltage non-volatile memory applications. Experiment

IRRERA, Fernanda;
1999

1999
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Enhanced injection in n++-poly/SiOx/SiO2/p-sub MOS capacitors for low-voltage non-volatile memory applications. Experiment / Irrera, Fernanda; Russo, F.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 46:(1999), pp. 2315-2322.
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