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Heat transport at nanoscale is of importance for many nanotech- nology applications. The request to reduce the size of electronic devices and integrated micro/ nano-electro-mechanical systems provides the main driving force behind the scientific research and technological advancement in nanotechnology. It is now widely accepted that the thermal management in nanosize devices becomes fundamental as the size of the device reduces. Thermal conduction in nanostructures plays a critical role in controlling the performances and stability of nanodevices.
THERMAL CHARACTERIZATION OF CARBON NANOTUBES BY PHOTOTHERMAL TECHNIQUES / LI VOTI, R., Maria Cristina, L., Sibilia, C., Mario Bertolotti I., N., I. V., A.. - STAMPA. - (2012), pp. 33-33. (European Optical Society Annual Meeting 2012 Aberdeen, Scotland, UK 25-28 Settembre 2012).
THERMAL CHARACTERIZATION OF CARBON NANOTUBES BY PHOTOTHERMAL TECHNIQUES
Heat transport at nanoscale is of importance for many nanotech- nology applications. The request to reduce the size of electronic devices and integrated micro/ nano-electro-mechanical systems provides the main driving force behind the scientific research and technological advancement in nanotechnology. It is now widely accepted that the thermal management in nanosize devices becomes fundamental as the size of the device reduces. Thermal conduction in nanostructures plays a critical role in controlling the performances and stability of nanodevices.
04 Pubblicazione in atti di convegno::04d Abstract in atti di convegno
THERMAL CHARACTERIZATION OF CARBON NANOTUBES BY PHOTOTHERMAL TECHNIQUES / LI VOTI, R., Maria Cristina, L., Sibilia, C., Mario Bertolotti I., N., I. V., A.. - STAMPA. - (2012), pp. 33-33. (European Optical Society Annual Meeting 2012 Aberdeen, Scotland, UK 25-28 Settembre 2012).
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/759450
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
