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Study of the processes of carbonization and oxidation of porous silicon by Raman and IR spectroscopy / A., Vasin; P., Okholin; I., Verovsky; A., Nazarov; V., Lysenko; Kholostov, Konstantin; V., Bondarenko; Y., Ishikawa. - In: SEMICONDUCTORS. - ISSN 1063-7826. - STAMPA. - 45:(2011), pp. 350-354. [10.1134/S1063782611030249]

Study of the processes of carbonization and oxidation of porous silicon by Raman and IR spectroscopy

KHOLOSTOV, KONSTANTIN;
2011
2011
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Study of the processes of carbonization and oxidation of porous silicon by Raman and IR spectroscopy / A., Vasin; P., Okholin; I., Verovsky; A., Nazarov; V., Lysenko; Kholostov, Konstantin; V., Bondarenko; Y., Ishikawa. - In: SEMICONDUCTORS. - ISSN 1063-7826. - STAMPA. - 45:(2011), pp. 350-354. [10.1134/S1063782611030249]
01a Articolo in rivista
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