We fabricated GaAs air-bridge Schottky diodes and pseudomorphic InGaAs/AlGaAs heterostructure field-effect transistors with similar on-chip lithographic antennas. Detectors were packaged with a silicon lens and their rectified signal when exposed to 450-700 GHz radiation was compared. © 2011 IEEE.

Fabrication and quantitative comparison of quasi-optical terahertz rectifiers with integrated antennas / A. D., Gaspare; R., Casini; Ortolani, Michele; E., Giovine; V., Foglietti; P., Romanini; D., Dominijanni; M., Peroni; F., Evangelisti. - ELETTRONICO. - (2011). (Intervento presentato al convegno IRMMW-THz 2011 - 36th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves tenutosi a Houston; United States nel 2011) [10.1109/irmmw-THz.2011.6104767].

Fabrication and quantitative comparison of quasi-optical terahertz rectifiers with integrated antennas

ORTOLANI, MICHELE;
2011

Abstract

We fabricated GaAs air-bridge Schottky diodes and pseudomorphic InGaAs/AlGaAs heterostructure field-effect transistors with similar on-chip lithographic antennas. Detectors were packaged with a silicon lens and their rectified signal when exposed to 450-700 GHz radiation was compared. © 2011 IEEE.
2011
IRMMW-THz 2011 - 36th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
Air-bridges; GaAs; Heterostructure field-effect transistors
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Fabrication and quantitative comparison of quasi-optical terahertz rectifiers with integrated antennas / A. D., Gaspare; R., Casini; Ortolani, Michele; E., Giovine; V., Foglietti; P., Romanini; D., Dominijanni; M., Peroni; F., Evangelisti. - ELETTRONICO. - (2011). (Intervento presentato al convegno IRMMW-THz 2011 - 36th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves tenutosi a Houston; United States nel 2011) [10.1109/irmmw-THz.2011.6104767].
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