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Trilayer electron-beam lithography and surface preparation for sub-micron Schottky contacts on GaAs heterostructures / D., Dominijanni; R., Casini; V., Foglietti; Ortolani, Michele; A., Notargiacomo; C., Lanzieri; M., Peroni; P., Romanini; E., Giovine. - (2010). (Intervento presentato al convegno IRMMW-THz 2010 - 35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves tenutosi a Rome; Italy nel 2010) [10.1109/ICIMW.2010.5612783].
Trilayer electron-beam lithography and surface preparation for sub-micron Schottky contacts on GaAs heterostructures
D. Dominijanni;R. Casini;V. Foglietti;ORTOLANI, MICHELE;A. Notargiacomo;C. Lanzieri;M. Peroni;P. Romanini;E. Giovine
IRMMW-THz 2010 - 35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
Area reduction; GaAs; Heterostructures
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Trilayer electron-beam lithography and surface preparation for sub-micron Schottky contacts on GaAs heterostructures / D., Dominijanni; R., Casini; V., Foglietti; Ortolani, Michele; A., Notargiacomo; C., Lanzieri; M., Peroni; P., Romanini; E., Giovine. - (2010). (Intervento presentato al convegno IRMMW-THz 2010 - 35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves tenutosi a Rome; Italy nel 2010) [10.1109/ICIMW.2010.5612783].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/649671
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
