The AlGaN/GaN heterostructure is an excellent candidate for the realization of sub-millimeter wave power amplifiers, which can serve as integrated power source for THz frequency multipliers. Here we discuss the operation of AlGaN/GaN transistors as THz detector, which provides information on the behavior of the electron system at THz frequencies. © 2010 IEEE.

AlGaN/GaN heterostructure transistors for the generation and detection of THz radiation / E., Giovine; A. D., Gaspare; Ortolani, Michele; F., Evangelisti; V., Foglietti; A., Cetronio; D., Dominijanni; C., Lanzieri; M., Peroni; A., Doria; E., Giovenale; I., Spassovsky; G., Gallerano. - (2010). (Intervento presentato al convegno IRMMW-THz 2010 - 35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves tenutosi a Rome; Italy nel 2010) [10.1109/ICIMW.2010.5612705].

AlGaN/GaN heterostructure transistors for the generation and detection of THz radiation

ORTOLANI, MICHELE;
2010

Abstract

The AlGaN/GaN heterostructure is an excellent candidate for the realization of sub-millimeter wave power amplifiers, which can serve as integrated power source for THz frequency multipliers. Here we discuss the operation of AlGaN/GaN transistors as THz detector, which provides information on the behavior of the electron system at THz frequencies. © 2010 IEEE.
2010
IRMMW-THz 2010 - 35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves
AlGaN/gaN; AlGaN/GaN heterostructures; Electron systems
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
AlGaN/GaN heterostructure transistors for the generation and detection of THz radiation / E., Giovine; A. D., Gaspare; Ortolani, Michele; F., Evangelisti; V., Foglietti; A., Cetronio; D., Dominijanni; C., Lanzieri; M., Peroni; A., Doria; E., Giovenale; I., Spassovsky; G., Gallerano. - (2010). (Intervento presentato al convegno IRMMW-THz 2010 - 35th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves tenutosi a Rome; Italy nel 2010) [10.1109/ICIMW.2010.5612705].
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