We measured the absorption coefficient and the non-radiative lifetime of intersubband transitions in Germanium quantum wells by steady-state and pump-probe terahertz spectroscopy. © 2012 IEEE.

Terahertz spectroscopy of germanium quantum wells on silicon substrate for terahertz photonics / Ortolani, Michele; M., Virgilio; G., Pizzi; G., Grosso; M., Teich; S., Winnerl; M., Helm; G., Capellini; M., De Seta. - ELETTRONICO. - (2012), pp. 1-2. (Intervento presentato al convegno 37th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) tenutosi a Wollongong; Australia nel SEP 23-28, 2012) [10.1109/irmmw-thz.2012.6380280].

Terahertz spectroscopy of germanium quantum wells on silicon substrate for terahertz photonics

ORTOLANI, MICHELE;
2012

Abstract

We measured the absorption coefficient and the non-radiative lifetime of intersubband transitions in Germanium quantum wells by steady-state and pump-probe terahertz spectroscopy. © 2012 IEEE.
2012
37th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz)
semiconductors
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Terahertz spectroscopy of germanium quantum wells on silicon substrate for terahertz photonics / Ortolani, Michele; M., Virgilio; G., Pizzi; G., Grosso; M., Teich; S., Winnerl; M., Helm; G., Capellini; M., De Seta. - ELETTRONICO. - (2012), pp. 1-2. (Intervento presentato al convegno 37th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) tenutosi a Wollongong; Australia nel SEP 23-28, 2012) [10.1109/irmmw-thz.2012.6380280].
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