Rectification at room temperature by asymmetric double-grating-gate GaAs-based field effect transistors has been observed up to 3.89 THz at zero drain bias, and attributed to the peculiar unequal spacing among the two gratings. © 2012 IEEE.

Asymmetric double grating gate detector fabricated on industrial pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructure / A., Di Gaspare; R., Casini; N., Diakonova; C., Drexler; Giliberti, Valeria; Ortolani, Michele; D., Coquillat; W., Knap; S. D., Ganichev. - ELETTRONICO. - (2012). (Intervento presentato al convegno 37th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2012 tenutosi a Wollongong; Australia nel 23 September 2012 through 28 September 2012) [10.1109/irmmw-thz.2012.6379488].

Asymmetric double grating gate detector fabricated on industrial pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructure

GILIBERTI, VALERIA;ORTOLANI, MICHELE;
2012

Abstract

Rectification at room temperature by asymmetric double-grating-gate GaAs-based field effect transistors has been observed up to 3.89 THz at zero drain bias, and attributed to the peculiar unequal spacing among the two gratings. © 2012 IEEE.
2012
37th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2012
Drain bias; Room temperature; Unequal spacing
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Asymmetric double grating gate detector fabricated on industrial pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructure / A., Di Gaspare; R., Casini; N., Diakonova; C., Drexler; Giliberti, Valeria; Ortolani, Michele; D., Coquillat; W., Knap; S. D., Ganichev. - ELETTRONICO. - (2012). (Intervento presentato al convegno 37th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2012 tenutosi a Wollongong; Australia nel 23 September 2012 through 28 September 2012) [10.1109/irmmw-thz.2012.6379488].
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