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Slightly modified CMOS process has been used for the formation of lateral pn junctions in SOI structures based on oxidized porous silicon. Under forward bias these junctions emit infrared light at 1120 nm. Under reverse bias in the breakdown regime the pn junctions demonstrate both infrared and visible light emissions with efficiencies of 10(-4) and 10(-7), respectively. The beneficial influence of SOI structures on electroluminescence characterictics of light-emitting pn junctions has been established.
Characterization of silicon LEDs integrated with oxidized porous silicon SOI / Balucani, M., V., B., A., D., F., E., N., K., G., M., L., M., S., M., S., L.M., S., V., Ferrari, A.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - STAMPA. - 36:1-4(1997), pp. 115-118. (10th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 97) STENUNGSUND, SWEDEN JUN 10-14, 1997) [10.1016/s0167-9317(97)00028-2].
Characterization of silicon LEDs integrated with oxidized porous silicon SOI
Slightly modified CMOS process has been used for the formation of lateral pn junctions in SOI structures based on oxidized porous silicon. Under forward bias these junctions emit infrared light at 1120 nm. Under reverse bias in the breakdown regime the pn junctions demonstrate both infrared and visible light emissions with efficiencies of 10(-4) and 10(-7), respectively. The beneficial influence of SOI structures on electroluminescence characterictics of light-emitting pn junctions has been established.
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Characterization of silicon LEDs integrated with oxidized porous silicon SOI / Balucani, M., V., B., A., D., F., E., N., K., G., M., L., M., S., M., S., L.M., S., V., Ferrari, A.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - STAMPA. - 36:1-4(1997), pp. 115-118. (10th Biennial Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS 97) STENUNGSUND, SWEDEN JUN 10-14, 1997) [10.1016/s0167-9317(97)00028-2].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/501836
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
