Effect of pulsed stress on leakage current in mos capacitors for non-volatile memory applications / Caputo, D., R., F., Irrera, F., B., R.. - STAMPA. - (2002), pp. 567-570. (32nd European Solid-State Device Research Firenze settembre 2002) [10.1109/ESSDERC.2002.194994].
Effect of pulsed stress on leakage current in mos capacitors for non-volatile memory applications
CAPUTO, Domenico;IRRERA, Fernanda;
2002
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