Characterization of intrinsic a-Si:H in p-i-n devices by capacitance measurements: Theory and experiments / Caputo, Domenico; DE CESARE, Giampiero; Irrera, Fernanda; Palma, Fabrizio; Tucci, M.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 76 (6):(1994), pp. 3534-3541.
Characterization of intrinsic a-Si:H in p-i-n devices by capacitance measurements: Theory and experiments
CAPUTO, Domenico;DE CESARE, Giampiero;IRRERA, Fernanda;PALMA, Fabrizio;
1994
File allegati a questo prodotto
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.