Characterization of intrinsic a-Si:H in p-i-n devices by capacitance measurements: Theory and experiments / Caputo, Domenico; DE CESARE, Giampiero; Irrera, Fernanda; Palma, Fabrizio; Tucci, M.. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - 76 (6)(1994), pp. 3534-3541.

Characterization of intrinsic a-Si:H in p-i-n devices by capacitance measurements: Theory and experiments

CAPUTO, Domenico;DE CESARE, Giampiero;IRRERA, Fernanda;PALMA, Fabrizio;
1994

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