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In this work we report about the fabrication and characterization of heterostructure organic electroluminescent devices based on the system N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methyl phenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine (TPD) and tris (8-hydroxy-quinoline) aluminum (Alq3). We present the electric and photometric characterization of Alq3/TPD diodes, using ITO (Indium-Tin-Oxide) and Al or Al/LiF as transparent anode and metallic cathode, respectively, and discuss the results.
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES BASED ON Alq3Epioptics 7 - Proceedings of the 24th Course of the International School of Solid State Physics / S., G., G., B., S., G., S., L., R. M., M., A., P., Michelotti, F., F., O.. - STAMPA. - (2004), pp. 105-110. (7th Epioptics Workshop Erice, Italy JUL 20-26 2002) [10.1142/9789812702982_0010].
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES BASED ON Alq3Epioptics 7 - Proceedings of the 24th Course of the International School of Solid State Physics
S. GAMBINO;G. BALDACCHINI;S. GAGLIARDI;S. LORETI;R. M. MONTEREALI;A. PACE;MICHELOTTI, Francesco;F. ONORATI
2004
Abstract
In this work we report about the fabrication and characterization of heterostructure organic electroluminescent devices based on the system N,N’-diphenyl-N,N’-bis(3-methyl phenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine (TPD) and tris (8-hydroxy-quinoline) aluminum (Alq3). We present the electric and photometric characterization of Alq3/TPD diodes, using ITO (Indium-Tin-Oxide) and Al or Al/LiF as transparent anode and metallic cathode, respectively, and discuss the results.
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES BASED ON Alq3Epioptics 7 - Proceedings of the 24th Course of the International School of Solid State Physics / S., G., G., B., S., G., S., L., R. M., M., A., P., Michelotti, F., F., O.. - STAMPA. - (2004), pp. 105-110. (7th Epioptics Workshop Erice, Italy JUL 20-26 2002) [10.1142/9789812702982_0010].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/384535
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
