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Mixed oxide films of transition metals gain considerable much attention due to their interesting optoelectronic properties. The low temperature chemical vapor growth processing of thin films of mixed W and Mo oxides is presented. The investigation is related to optimization of films structure and the related optoelectronic properties in dependence on the chemical vapor deposition (CVD) process parameters. Their electrochromic behavior and photoelectrode properties were studied.
Vapor growth of electrochromic thin films of transition metal oxides / K. A., G., T., I., B., M., Zollo, G., M., K.. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - STAMPA. - 310:7-9(2008), pp. 2103-2109. (15th International Conference on Crystal Growth Salt Lake City, UT AUG 12-17, 2007) [10.1016/j.jcrysgro.2007.12.034].
Vapor growth of electrochromic thin films of transition metal oxides
K. A. Gesheva;T. Ivanova;B. Marsen;ZOLLO, Giuseppe;M. Kalitzova
2008
Abstract
Mixed oxide films of transition metals gain considerable much attention due to their interesting optoelectronic properties. The low temperature chemical vapor growth processing of thin films of mixed W and Mo oxides is presented. The investigation is related to optimization of films structure and the related optoelectronic properties in dependence on the chemical vapor deposition (CVD) process parameters. Their electrochromic behavior and photoelectrode properties were studied.
a1. x-ray diffraction; a3. metalorganic chemical vapor deposition; b1. oxides; b2. electrochromic properties; electrochromic properties; electron diffraction; metalorganic chemical vapor deposition; oxides; x-ray diffraction
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Vapor growth of electrochromic thin films of transition metal oxides / K. A., G., T., I., B., M., Zollo, G., M., K.. - In: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. - ISSN 0022-0248. - STAMPA. - 310:7-9(2008), pp. 2103-2109. (15th International Conference on Crystal Growth Salt Lake City, UT AUG 12-17, 2007) [10.1016/j.jcrysgro.2007.12.034].
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/37881
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
