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EnglishRecent studies have shown evidence of self-interstitial aggregation in ion-implanted Si, resulting in nanoscopic damage structures. Similarly, self-interstitial atoms are expected to play an important role for defect clustering in ion-implanted GaAs. We report results on stable neutral di-interstitial complex configurations in GaAs composed of both As and Ga atoms addressed by first-principles total-energy calculations based on density-functional theory.
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| Titolo: | Properties of intrinsic di-interstitials in GaAs |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2004 |
| Rivista: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11573/37876 |
| Appartiene alla tipologia: | 01a Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11573/37876
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