Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
Catalogo dei prodotti della ricerca
Nano-sized precipitation in high-dose implanted Si has been investigated using high-resolution transmission electron microscopy of cross-sectional specimens (XHRTEM). Zn and Bi (50 keV) have been implanted in Si at doses of 5 x 10(16) cm(-2) and 10(16) cm(-2), respectively. In spite of the different diffusivities of these species in Si, their low solubility resulted in precipitation of nano-sized metallic inclusions whose inner structures revealed a synthesis of superlattices, composed of the host Si matrix and the implanted species.
Precipitation of superstructured nano-crystals in high-dose implanted Si: an XHRTEM study / Zollo, G., M., K., D., M., G., V.. - In: JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS. - ISSN 0022-3727. - STAMPA. - 37:19(2004), pp. 2730-2736. [10.1088/0022-3727/37/19/018]
Precipitation of superstructured nano-crystals in high-dose implanted Si: an XHRTEM study
Nano-sized precipitation in high-dose implanted Si has been investigated using high-resolution transmission electron microscopy of cross-sectional specimens (XHRTEM). Zn and Bi (50 keV) have been implanted in Si at doses of 5 x 10(16) cm(-2) and 10(16) cm(-2), respectively. In spite of the different diffusivities of these species in Si, their low solubility resulted in precipitation of nano-sized metallic inclusions whose inner structures revealed a synthesis of superlattices, composed of the host Si matrix and the implanted species.
electron microscopy; ion implantation; nanocrystalline materials
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Precipitation of superstructured nano-crystals in high-dose implanted Si: an XHRTEM study / Zollo, G., M., K., D., M., G., V.. - In: JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS. - ISSN 0022-3727. - STAMPA. - 37:19(2004), pp. 2730-2736. [10.1088/0022-3727/37/19/018]
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/37817
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Citazioni
ND
15
10
social impact
Conferma cancellazione
Sei sicuro che questo prodotto debba essere cancellato?
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
