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EnglishRecent studies have shown evidence for the aggregation of self-interstitials in ion-implanted Si, resulting in nanoscopic damage structures. Similarly, self-interstitial atoms are expected to play an important role for defect clustering in ion-implanted GaAs. Accurate first-principles total-energy calculations are reported for different As and Ga self-interstitial configurations. These results are used to study by first-principles total-energy calculations the structural and electronic properties of small complexes involving self-interstitials and/or antisites.
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| Titolo: | Small self-interstitial clusters in GaAs |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2003 |
| Rivista: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11573/37814 |
| Appare nella tipologia: | 01a Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11573/37814
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