A junction field effect transistor based on hydrogenated amorphous silicon / Caputo, Domenico; DE CESARE, Giampiero; Nascetti, Augusto; Kellezi, V; Palma, Fabrizio. - 609:(2000), pp. A31.1-A31.1. [10.1557/PROC-609-A31.1]
A junction field effect transistor based on hydrogenated amorphous silicon
CAPUTO, Domenico;DE CESARE, Giampiero;NASCETTI, Augusto;PALMA, Fabrizio
2000
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