Catalogo dei prodotti della ricerca

Measurement of carrier localization degree, electron effective mass, and exciton size in InxGa1-xAs1-yNy alloys / Polimeni, Antonio; F., Masia; G., BALDASSARRI HOEGER VON HOEGERSTAHL; Capizzi, Mario. - STAMPA. - (2005), pp. 223-251.

Measurement of carrier localization degree, electron effective mass, and exciton size in InxGa1-xAs1-yNy alloys

POLIMENI, Antonio;CAPIZZI, Mario
2005
2005
Dilute Nitride Semiconductors
9780080445021
02 Pubblicazione su volume::02a Capitolo o Articolo
Measurement of carrier localization degree, electron effective mass, and exciton size in InxGa1-xAs1-yNy alloys / Polimeni, Antonio; F., Masia; G., BALDASSARRI HOEGER VON HOEGERSTAHL; Capizzi, Mario. - STAMPA. - (2005), pp. 223-251.
02a Capitolo o Articolo
File allegati a questo prodotto
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/231459
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact