Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
Catalogo dei prodotti della ricerca
Electron–positron colliders operating in the GeV center-of-mass range, or tau-charm energy region, have been proved to enable competitive frontier research due to several unique features. With the progress of high-energy physics in the last two decades, a new-generation Tau-Charm factory, called the Super Tau-Charm Facility (STCF), has been actively promoted by the particle physics community in China. STCF has the potential to address fundamental questions such as the essence of color confinement and the matter–antimatter asymmetry within the next decades. The main design goals of the STCF are a center-of-mass energy ranging from 2 to 7 GeV and a luminosity surpassing 5 × 1034 cm−2 s−1 that is optimized at a center-of-mass energy of 4 GeV, which is approximately 50 times that of the currently operating Tau-Charm factory—BEPCII. The STCF accelerator has two main parts: a double-ring collider with a crab-waist collision scheme and an injector that provides top-up injections for both electron and positron beams. As a typical third-generation electron–positron circular collider, the STCF accelerator faces many challenges in both accelerator physics and technology. In this paper, the conceptual design of the STCF accelerator complex is presented, including the ongoing efforts and plans for technological research and development, as well as the required infrastructure. The STCF project aims to secure support from the Chinese central government for its construction during the 15th Five-Year Plan (2026–2030).
Conceptual design report of the Super Tau-Charm Facility. The accelerator / Ai, X. -C.; An, L. -P.; An, S. -Z.; Bai, Y.; Bai, Z. -H.; Bakina, O.; Bao, J. -C.; Batozskaya, V.; Belias, A.; Biagini, M. E.; Bian, L. -G.; Bodrov, D.; Bogomyagkov, A.; Boscolo, M.; Boyko, I.; Cao, Z. -X.; Cetin, S.; Chadeeva, M.; Chang, M. -X.; Chang, Q.; Chen, D. -Y.; Chen, F. -Z.; Chen, H.; Chen, H. -X.; Chen, J. -H.; Chen, L.; Chen, L. -B.; Chen, Q.; Chen, Q. -S.; Chen, S. -M.; Chen, W.; Chen, Y.; Chen, Z.; Cheng, S.; Cheng, S. -B.; Cheng, T. -G.; Dai, L. -R.; Dai, L. -Y.; Dai, X. -C.; Denig, A.; Denisenko, I.; Derkach, D.; Ding, H. -T.; Ding, M. -H.; Ding, X.; Dong, L. -Y.; Du, Y.; Egorov, P.; Fan, K. -J.; Fan, S. -Y.; Fang, S. -S.; Fang, Z. -J.; Feng, S.; Feng, X.; Fu, H. -B.; Gao, J.; Gao, Y. -N.; Gao, Z. -H.; Geng, C.; Geng, L. -S.; Gong, H. -L.; Gong, J. -D.; Gong, L.; Gong, S. -K.; Gonzalez-Solis, S.; Gou, B. -X.; Gu, D.; Guo, H.; Guo, J.; Guo, T. -J.; Guo, X. -H.; Guo, Y. -H.; Guo, Y. -P.; Guo, Z. -H.; Haciomeroglu, S.; Hamwi, E.; Han, C. -D.; Han, T. -T.; Hao, X. -Q.; He, C. -C.; He, J. -B.; He, T. -L.; He, X. -G.; Hosaka, M.; Hou, K. -W.; Hou, Z. -L.; Hu, D. -D.; Hu, H. -M.; Hu, H.; Hu, Q. -P.; Hu, T. -N.; Hu, X. -C.; Hu, Y.; Hu, Z.; Huang, D. -Z.; Huang, F.; Huang, G. -S.; Huang, L. -S.; Huang, P. -W.; Huang, R. -X.; Huang, X. -T.; Huang, X. -L.; Huang, Z. -C.; Ji, W.; Jia, P. -K.; Jia, S.; Jia, Z. -K.; Jiang, H. -P.; Jiang, H. -B.; Jiao, J. -B.; Jin, M. -J.; Jin, S. -P.; Jin, Y.; Kang, D.; Kang, X. -W.; Kang, X. -L.; Kaptari, L.; Kolcu, O. B.; Koop, I.; Kravchenko, E.; Kudenko, Y.; Kussner, M.; Leng, Y. -B.; Levichev, E.; Li, C.; Li, C. -Y.; Li, C. -H.; Li, H. T.; Li, H. -B.; Li, H. -Z.; Li, H. -N.; Li, H. -L.; Li, H. -J.; Li, H. -L.; Li, J. -R.; Li, J.; Li, L.; Li, M.; Li, P. -R.; Li, P. -L.; Li, R. -K.; Li, S. -Y.; Li, S.; Li, T.; Li, T. -Y.; Li, W. -W.; Li, W. -J.; Li, X.; Li, X. -Q.; Li, X. -B.; Li, X.; Li, X. -F.; Li, Y. -F.; Li, Y. -X.; Li, Y.; Li, Y. -B.; Liang, J.; Liang, X.; Liang, Y.; Liang, Z. -R.; Lin, C. -X.; Lin, D. -X.; Lin, T.; Lin, Y. -G.; Liu, C.; Liu, C. -W.; Liu, G. -W.; Liu, H.; Liu, H. -B.; Liu, J. -B.; Liu, J. -D.; Liu, L. -T.; Liu, L. -C.; Liu, M. -Y.; Liu, S. -B.; Liu, T.; Liu, T. -B.; Liu, X.; Liu, X. -Y.; Liu, X.; Liu, X. -Y.; Liu, Y. -R.; Liu, Y. -L.; Liu, Y. -W.; Liu, Y.; Liu, Y.; Liu, Z. -W.; Liu, Z. -F.; Liu, Z. -Q.; Liu, Z. -R.; Liu, Z. -W.; Lu, C. -D.; Lu, M. -R.; Lu, P. -C.; Lu, Y.; Luo, Q.; Luo, T.; Luo, X. -F.; Lv, H. -H.; Lyu, S. -T.; Lyu, X. -R.; Ma, B. -Q.; Ma, C. -L.; Ma, S. -H.; Ma, T.; Ma, W. -B.; Meng, Y.; Fan, M. -X.; Miao, X. -C.; Migliorati, M.; Milardi, C.; Mineeva, T.; Mo, Y. -H.; Mullor, H. G.; Musa, E.; Nakamura, S.; Nefediev, A.; Nie, Y. -C.; Ohmi, K.; Padmanath, M.; Pakhlov, P.; Pang, J.; Passemar, E.; Pei, G. -X.; Pei, H.; Peng, H. -P.; Peng, L.; Ping, R. -G.; Pire, B.; Prasad, V.; Qi, B. -B.; Qi, Z. -J.; Qian, Y.; Qiao, C. -F.; Qin, J. -J.; Qin, L. -Y.; Qin, Q.; Qin, X. -S.; Ratnikov, F.; Roberts, C.; Rodriguez-Sanchez, A.; Rogovsky, Y.; Rogozhin, P.; Roig, P.; Ruan, M. -Q.; Segovia, J.; Shang, F. -L.; Shang, L.; Shangguan, J. -F.; Shao, D. -Y.; Shao, M.; Shao, Z. -X.; Shen, C. -P.; Shen, H. -F.; Shen, X. -M.; Shen, Z. -T.; Shi, C. -T.; Shi, J. -L.; Shi, R. -X.; Shi, Y. -K.; Si, Z. -G.; Silva, L. V.; Skamarokha, M.; Su, J. -C.; Sun, G. -B.; Sun, J. -F.; Sun, K.; Sun, L.; Sun, M. -K.; Sun, R.; Sun, X. -L.; Tang, J. -Y.; Tang, Y. -G.; Tang, Z. -B.; Tao, W.; Telnov, V.; Teng, J. -X.; Tikhonov, Y.; Tsai, C. -Y.; Uglov, T.; Vagnoni, V.; Valencia, G.; Wan, G. -Y.; Wang, A. -X.; Wang, B.; Wang, C. -Z.; Wang, E.; Wang, H. -J.; Wang, J.; Wang, J.; Wang, J. -Z.; Wang, L.; Wang, L.; Wang, Q.; Wang, S. -Q.; Wang, S. -Y.; Wang, S. -K.; Wang, W.; Wang, W. -P.; Wang, X. -P.; Wang, X. -Y.; Wang, X. -F.; Wang, Y. -Q.; Wang, Y. -M.; Wang, Y. -H.; Wang, Z. S.; Wang, Z.; Wang, Z. -G.; Wang, Z. -Y.; Wang, Z. -Y.; Wang, Z. -R.; Wei, B. -F.; Wei, S. -Q.; Wei, S. -Y.; Wei, X. -M.; Wei, Y. -J.; Wei, Y. -L.; Wiedner, U.; Wu, J. -J.; Wu, J.; Wu, Q.; Wu, S.; Wu, X.; Wu, X. -G.; Wu, X.; Wu, Y. -C.; Wu, Y. -S.; Xia, L.; Xiao, Z. -G.; Xie, C. -J.; Xie, K. -B.; Xiong, Z. -Y.; Xu, J.; Xu, L. -L.; Xu, S. -S.; Xu, X.; Xu, Y.; Yan, L.; Yan, W. -B.; Yan, X. -Q.; Yang, C.; Yang, H. -J.; Yang, H. -T.; Yang, J.; Yang, P. -H.; Yang, S.; Yang, T.; Yang, W. -H.; Yang, X. -H.; Yang, X. -T.; Yang, Y. -L.; Yang, Z. -W.; Yang, Z. -J.; Yao, D. -L.; Ye, Z. -C.; Yi, K.; Yi, L.; Yin, L. -X.; You, Z. -Y.; Yu, C.; Yu, Z.; Yuan, J.; Yuan, Y. -J.; Yury, N.; Zeng, Y. -F.; Zha, W. -M.; Zhang, A. -L.; Zhang, D. -Y.; Zhang, G. -Y.; Zhang, G. -H.; Zhang, H. -Y.; Zhang, H. -R.; Zhang, H. -H.; Zhang, H. -B.; Zhang, J. -L.; Zhang, J. -R.; Zhang, J. -H.; Zhang, J. -Y.; Zhang, J. -L.; Zhang, L.; Zhang, L.; Zhang, L. -H.; Zhang, L. -H.; Zhang, N.; Zhang, Q. -Y.; Zhang, Q. -Z.; Zhang, R.; Zhang, R. -Y.; Zhang, S. -R.; Zhang, S. -H.; Zhang, S. -L.; Zhang, W. -C.; Zhang, X. -Y.; Zhang, X. -M.; Zhang, X. -T.; Zhang, X.; Zhang, X. -H.; Zhang, Y. -X.; Zhang, Y. -T.; Zhang, Y. -H.; Zhang, Y. -F.; Zhang, Y.; Zhang, Y. -M.; Zhang, Z. -Y.; Zhang, Z. -Q.; Zhang, Z. -C.; Zhao, J. -Y.; Zhao, M. -G.; Zhao, Q.; Zhao, R. -G.; Zhao, Y. -C.; Zhao, Z. -X.; Zhao, Z. -G.; Zhemchugov, A.; Zheng, B.; Zheng, J. -X.; Zheng, L.; Zheng, R.; Zheng, X. -C.; Zheng, Y. -H.; Zhong, B.; Zhou, D. -C.; Zhou, D. -M.; Zhou, H.; Zhou, H.; Zhou, J.; Zhou, J. -X.; Zhou, Q. -S.; Zhou, S. -Y.; Zhou, X.; Zhou, X. -K.; Zhou, X. -R.; Zhou, Y. -J.; Zhou, Y.; Zhou, Y. -M.; Zhou, Z. -R.; Zhu, B.; Zhu, J. -Y.; Zhu, J. -Y.; Zhu, L.; Zhu, R. -L.; Zhu, X. -H.; Zhu, Y. -C.; Zhu, Z.; Zobov, M.; Zong, Y.; Zou, B. -S.; Zou, Y.; Zu, J.. - In: NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES. - ISSN 1001-8042. - 36:12(2025), pp. 1-170. [10.1007/s41365-025-01833-x]
Conceptual design report of the Super Tau-Charm Facility. The accelerator
Ai X. -C.;An L. -P.;An S. -Z.;Bai Y.;Bai Z. -H.;Bakina O.;Bao J. -C.;Batozskaya V.;Belias A.;Biagini M. E.;Bian L. -G.;Bodrov D.;Bogomyagkov A.;Boscolo M.;Boyko I.;Cao Z. -X.;Cetin S.;Chadeeva M.;Chang M. -X.;Chang Q.;Chen D. -Y.;Chen F. -Z.;Chen H.;Chen H. -X.;Chen J. -H.;Chen L.;Chen L. -B.;Chen Q.;Chen Q. -S.;Chen S. -M.;Chen W.;Chen Y.;Chen Z.;Cheng S.;Cheng S. -B.;Cheng T. -G.;Dai L. -R.;Dai L. -Y.;Dai X. -C.;Denig A.;Denisenko I.;Derkach D.;Ding H. -T.;Ding M. -H.;Ding X.;Dong L. -Y.;Du Y.;Egorov P.;Fan K. -J.;Fan S. -Y.;Fang S. -S.;Fang Z. -J.;Feng S.;Feng X.;Fu H. -B.;Gao J.;Gao Y. -N.;Gao Z. -H.;Geng C.;Geng L. -S.;Gong H. -L.;Gong J. -D.;Gong L.;Gong S. -K.;Gonzalez-Solis S.;Gou B. -X.;Gu D.;Guo H.;Guo J.;Guo T. -J.;Guo X. -H.;Guo Y. -H.;Guo Y. -P.;Guo Z. -H.;Haciomeroglu S.;Hamwi E.;Han C. -D.;Han T. -T.;Hao X. -Q.;He C. -C.;He J. -B.;He T. -L.;He X. -G.;Hosaka M.;Hou K. -W.;Hou Z. -L.;Hu D. -D.;Hu H. -M.;Hu H.;Hu Q. -P.;Hu T. -N.;Hu X. -C.;Hu Y.;Hu Z.;Huang D. -Z.;Huang F.;Huang G. -S.;Huang L. -S.;Huang P. -W.;Huang R. -X.;Huang X. -T.;Huang X. -L.;Huang Z. -C.;Ji W.;Jia P. -K.;Jia S.;Jia Z. -K.;Jiang H. -P.;Jiang H. -B.;Jiao J. -B.;Jin M. -J.;Jin S. -P.;Jin Y.;Kang D.;Kang X. -W.;Kang X. -L.;Kaptari L.;Kolcu O. B.;Koop I.;Kravchenko E.;Kudenko Y.;Kussner M.;Leng Y. -B.;Levichev E.;Li C.;Li C. -Y.;Li C. -H.;Li H. T.;Li H. -B.;Li H. -Z.;Li H. -N.;Li H. -L.;Li H. -J.;Li H. -L.;Li J. -R.;Li J.;Li L.;Li M.;Li P. -R.;Li P. -L.;Li R. -K.;Li S. -Y.;Li S.;Li T.;Li T. -Y.;Li W. -W.;Li W. -J.;Li X.;Li X. -Q.;Li X. -B.;Li X.;Li X. -F.;Li Y. -F.;Li Y. -X.;Li Y.;Li Y. -B.;Liang J.;Liang X.;Liang Y.;Liang Z. -R.;Lin C. -X.;Lin D. -X.;Lin T.;Lin Y. -G.;Liu C.;Liu C. -W.;Liu G. -W.;Liu H.;Liu H. -B.;Liu J. -B.;Liu J. -D.;Liu L. -T.;Liu L. -C.;Liu M. -Y.;Liu S. -B.;Liu T.;Liu T. -B.;Liu X.;Liu X. -Y.;Liu X.;Liu X. -Y.;Liu Y. -R.;Liu Y. -L.;Liu Y. -W.;Liu Y.;Liu Y.;Liu Z. -W.;Liu Z. -F.;Liu Z. -Q.;Liu Z. -R.;Liu Z. -W.;Lu C. -D.;Lu M. -R.;Lu P. -C.;Lu Y.;Luo Q.;Luo T.;Luo X. -F.;Lv H. -H.;Lyu S. -T.;Lyu X. -R.;Ma B. -Q.;Ma C. -L.;Ma S. -H.;Ma T.;Ma W. -B.;Meng Y.;Fan M. -X.;Miao X. -C.;Migliorati M.;Milardi C.;Mineeva T.;Mo Y. -H.;Mullor H. G.;Musa E.;Nakamura S.;Nefediev A.;Nie Y. -C.;Ohmi K.;Padmanath M.;Pakhlov P.;Pang J.;Passemar E.;Pei G. -X.;Pei H.;Peng H. -P.;Peng L.;Ping R. -G.;Pire B.;Prasad V.;Qi B. -B.;Qi Z. -J.;Qian Y.;Qiao C. -F.;Qin J. -J.;Qin L. -Y.;Qin Q.;Qin X. -S.;Ratnikov F.;Roberts C.;Rodriguez-Sanchez A.;Rogovsky Y.;Rogozhin P.;Roig P.;Ruan M. -Q.;Segovia J.;Shang F. -L.;Shang L.;Shangguan J. -F.;Shao D. -Y.;Shao M.;Shao Z. -X.;Shen C. -P.;Shen H. -F.;Shen X. -M.;Shen Z. -T.;Shi C. -T.;Shi J. -L.;Shi R. -X.;Shi Y. -K.;Si Z. -G.;Silva L. V.;Skamarokha M.;Su J. -C.;Sun G. -B.;Sun J. -F.;Sun K.;Sun L.;Sun M. -K.;Sun R.;Sun X. -L.;Tang J. -Y.;Tang Y. -G.;Tang Z. -B.;Tao W.;Telnov V.;Teng J. -X.;Tikhonov Y.;Tsai C. -Y.;Uglov T.;Vagnoni V.;Valencia G.;Wan G. -Y.;Wang A. -X.;Wang B.;Wang C. -Z.;Wang E.;Wang H. -J.;Wang J.;Wang J.;Wang J. -Z.;Wang L.;Wang L.;Wang Q.;Wang S. -Q.;Wang S. -Y.;Wang S. -K.;Wang W.;Wang W. -P.;Wang X. -P.;Wang X. -Y.;Wang X. -F.;Wang Y. -Q.;Wang Y. -M.;Wang Y. -H.;Wang Z. S.;Wang Z.;Wang Z. -G.;Wang Z. -Y.;Wang Z. -Y.;Wang Z. -R.;Wei B. -F.;Wei S. -Q.;Wei S. -Y.;Wei X. -M.;Wei Y. -J.;Wei Y. -L.;Wiedner U.;Wu J. -J.;Wu J.;Wu Q.;Wu S.;Wu X.;Wu X. -G.;Wu X.;Wu Y. -C.;Wu Y. -S.;Xia L.;Xiao Z. -G.;Xie C. -J.;Xie K. -B.;Xiong Z. -Y.;Xu J.;Xu L. -L.;Xu S. -S.;Xu X.;Xu Y.;Yan L.;Yan W. -B.;Yan X. -Q.;Yang C.;Yang H. -J.;Yang H. -T.;Yang J.;Yang P. -H.;Yang S.;Yang T.;Yang W. -H.;Yang X. -H.;Yang X. -T.;Yang Y. -L.;Yang Z. -W.;Yang Z. -J.;Yao D. -L.;Ye Z. -C.;Yi K.;Yi L.;Yin L. -X.;You Z. -Y.;Yu C.;Yu Z.;Yuan J.;Yuan Y. -J.;Yury N.;Zeng Y. -F.;Zha W. -M.;Zhang A. -L.;Zhang D. -Y.;Zhang G. -Y.;Zhang G. -H.;Zhang H. -Y.;Zhang H. -R.;Zhang H. -H.;Zhang H. -B.;Zhang J. -L.;Zhang J. -R.;Zhang J. -H.;Zhang J. -Y.;Zhang J. -L.;Zhang L.;Zhang L.;Zhang L. -H.;Zhang L. -H.;Zhang N.;Zhang Q. -Y.;Zhang Q. -Z.;Zhang R.;Zhang R. -Y.;Zhang S. -R.;Zhang S. -H.;Zhang S. -L.;Zhang W. -C.;Zhang X. -Y.;Zhang X. -M.;Zhang X. -T.;Zhang X.;Zhang X. -H.;Zhang Y. -X.;Zhang Y. -T.;Zhang Y. -H.;Zhang Y. -F.;Zhang Y.;Zhang Y. -M.;Zhang Z. -Y.;Zhang Z. -Q.;Zhang Z. -C.;Zhao J. -Y.;Zhao M. -G.;Zhao Q.;Zhao R. -G.;Zhao Y. -C.;Zhao Z. -X.;Zhao Z. -G.;Zhemchugov A.;Zheng B.;Zheng J. -X.;Zheng L.;Zheng R.;Zheng X. -C.;Zheng Y. -H.;Zhong B.;Zhou D. -C.;Zhou D. -M.;Zhou H.;Zhou H.;Zhou J.;Zhou J. -X.;Zhou Q. -S.;Zhou S. -Y.;Zhou X.;Zhou X. -K.;Zhou X. -R.;Zhou Y. -J.;Zhou Y.;Zhou Y. -M.;Zhou Z. -R.;Zhu B.;Zhu J. -Y.;Zhu J. -Y.;Zhu L.;Zhu R. -L.;Zhu X. -H.;Zhu Y. -C.;Zhu Z.;Zobov M.;Zong Y.;Zou B. -S.;Zou Y.;Zu J.
2025
Abstract
Electron–positron colliders operating in the GeV center-of-mass range, or tau-charm energy region, have been proved to enable competitive frontier research due to several unique features. With the progress of high-energy physics in the last two decades, a new-generation Tau-Charm factory, called the Super Tau-Charm Facility (STCF), has been actively promoted by the particle physics community in China. STCF has the potential to address fundamental questions such as the essence of color confinement and the matter–antimatter asymmetry within the next decades. The main design goals of the STCF are a center-of-mass energy ranging from 2 to 7 GeV and a luminosity surpassing 5 × 1034 cm−2 s−1 that is optimized at a center-of-mass energy of 4 GeV, which is approximately 50 times that of the currently operating Tau-Charm factory—BEPCII. The STCF accelerator has two main parts: a double-ring collider with a crab-waist collision scheme and an injector that provides top-up injections for both electron and positron beams. As a typical third-generation electron–positron circular collider, the STCF accelerator faces many challenges in both accelerator physics and technology. In this paper, the conceptual design of the STCF accelerator complex is presented, including the ongoing efforts and plans for technological research and development, as well as the required infrastructure. The STCF project aims to secure support from the Chinese central government for its construction during the 15th Five-Year Plan (2026–2030).
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Conceptual design report of the Super Tau-Charm Facility. The accelerator / Ai, X. -C.; An, L. -P.; An, S. -Z.; Bai, Y.; Bai, Z. -H.; Bakina, O.; Bao, J. -C.; Batozskaya, V.; Belias, A.; Biagini, M. E.; Bian, L. -G.; Bodrov, D.; Bogomyagkov, A.; Boscolo, M.; Boyko, I.; Cao, Z. -X.; Cetin, S.; Chadeeva, M.; Chang, M. -X.; Chang, Q.; Chen, D. -Y.; Chen, F. -Z.; Chen, H.; Chen, H. -X.; Chen, J. -H.; Chen, L.; Chen, L. -B.; Chen, Q.; Chen, Q. -S.; Chen, S. -M.; Chen, W.; Chen, Y.; Chen, Z.; Cheng, S.; Cheng, S. -B.; Cheng, T. -G.; Dai, L. -R.; Dai, L. -Y.; Dai, X. -C.; Denig, A.; Denisenko, I.; Derkach, D.; Ding, H. -T.; Ding, M. -H.; Ding, X.; Dong, L. -Y.; Du, Y.; Egorov, P.; Fan, K. -J.; Fan, S. -Y.; Fang, S. -S.; Fang, Z. -J.; Feng, S.; Feng, X.; Fu, H. -B.; Gao, J.; Gao, Y. -N.; Gao, Z. -H.; Geng, C.; Geng, L. -S.; Gong, H. -L.; Gong, J. -D.; Gong, L.; Gong, S. -K.; Gonzalez-Solis, S.; Gou, B. -X.; Gu, D.; Guo, H.; Guo, J.; Guo, T. -J.; Guo, X. -H.; Guo, Y. -H.; Guo, Y. -P.; Guo, Z. -H.; Haciomeroglu, S.; Hamwi, E.; Han, C. -D.; Han, T. -T.; Hao, X. -Q.; He, C. -C.; He, J. -B.; He, T. -L.; He, X. -G.; Hosaka, M.; Hou, K. -W.; Hou, Z. -L.; Hu, D. -D.; Hu, H. -M.; Hu, H.; Hu, Q. -P.; Hu, T. -N.; Hu, X. -C.; Hu, Y.; Hu, Z.; Huang, D. -Z.; Huang, F.; Huang, G. -S.; Huang, L. -S.; Huang, P. -W.; Huang, R. -X.; Huang, X. -T.; Huang, X. -L.; Huang, Z. -C.; Ji, W.; Jia, P. -K.; Jia, S.; Jia, Z. -K.; Jiang, H. -P.; Jiang, H. -B.; Jiao, J. -B.; Jin, M. -J.; Jin, S. -P.; Jin, Y.; Kang, D.; Kang, X. -W.; Kang, X. -L.; Kaptari, L.; Kolcu, O. B.; Koop, I.; Kravchenko, E.; Kudenko, Y.; Kussner, M.; Leng, Y. -B.; Levichev, E.; Li, C.; Li, C. -Y.; Li, C. -H.; Li, H. T.; Li, H. -B.; Li, H. -Z.; Li, H. -N.; Li, H. -L.; Li, H. -J.; Li, H. -L.; Li, J. -R.; Li, J.; Li, L.; Li, M.; Li, P. -R.; Li, P. -L.; Li, R. -K.; Li, S. -Y.; Li, S.; Li, T.; Li, T. -Y.; Li, W. -W.; Li, W. -J.; Li, X.; Li, X. -Q.; Li, X. -B.; Li, X.; Li, X. -F.; Li, Y. -F.; Li, Y. -X.; Li, Y.; Li, Y. -B.; Liang, J.; Liang, X.; Liang, Y.; Liang, Z. -R.; Lin, C. -X.; Lin, D. -X.; Lin, T.; Lin, Y. -G.; Liu, C.; Liu, C. -W.; Liu, G. -W.; Liu, H.; Liu, H. -B.; Liu, J. -B.; Liu, J. -D.; Liu, L. -T.; Liu, L. -C.; Liu, M. -Y.; Liu, S. -B.; Liu, T.; Liu, T. -B.; Liu, X.; Liu, X. -Y.; Liu, X.; Liu, X. -Y.; Liu, Y. -R.; Liu, Y. -L.; Liu, Y. -W.; Liu, Y.; Liu, Y.; Liu, Z. -W.; Liu, Z. -F.; Liu, Z. -Q.; Liu, Z. -R.; Liu, Z. -W.; Lu, C. -D.; Lu, M. -R.; Lu, P. -C.; Lu, Y.; Luo, Q.; Luo, T.; Luo, X. -F.; Lv, H. -H.; Lyu, S. -T.; Lyu, X. -R.; Ma, B. -Q.; Ma, C. -L.; Ma, S. -H.; Ma, T.; Ma, W. -B.; Meng, Y.; Fan, M. -X.; Miao, X. -C.; Migliorati, M.; Milardi, C.; Mineeva, T.; Mo, Y. -H.; Mullor, H. G.; Musa, E.; Nakamura, S.; Nefediev, A.; Nie, Y. -C.; Ohmi, K.; Padmanath, M.; Pakhlov, P.; Pang, J.; Passemar, E.; Pei, G. -X.; Pei, H.; Peng, H. -P.; Peng, L.; Ping, R. -G.; Pire, B.; Prasad, V.; Qi, B. -B.; Qi, Z. -J.; Qian, Y.; Qiao, C. -F.; Qin, J. -J.; Qin, L. -Y.; Qin, Q.; Qin, X. -S.; Ratnikov, F.; Roberts, C.; Rodriguez-Sanchez, A.; Rogovsky, Y.; Rogozhin, P.; Roig, P.; Ruan, M. -Q.; Segovia, J.; Shang, F. -L.; Shang, L.; Shangguan, J. -F.; Shao, D. -Y.; Shao, M.; Shao, Z. -X.; Shen, C. -P.; Shen, H. -F.; Shen, X. -M.; Shen, Z. -T.; Shi, C. -T.; Shi, J. -L.; Shi, R. -X.; Shi, Y. -K.; Si, Z. -G.; Silva, L. V.; Skamarokha, M.; Su, J. -C.; Sun, G. -B.; Sun, J. -F.; Sun, K.; Sun, L.; Sun, M. -K.; Sun, R.; Sun, X. -L.; Tang, J. -Y.; Tang, Y. -G.; Tang, Z. -B.; Tao, W.; Telnov, V.; Teng, J. -X.; Tikhonov, Y.; Tsai, C. -Y.; Uglov, T.; Vagnoni, V.; Valencia, G.; Wan, G. -Y.; Wang, A. -X.; Wang, B.; Wang, C. -Z.; Wang, E.; Wang, H. -J.; Wang, J.; Wang, J.; Wang, J. -Z.; Wang, L.; Wang, L.; Wang, Q.; Wang, S. -Q.; Wang, S. -Y.; Wang, S. -K.; Wang, W.; Wang, W. -P.; Wang, X. -P.; Wang, X. -Y.; Wang, X. -F.; Wang, Y. -Q.; Wang, Y. -M.; Wang, Y. -H.; Wang, Z. S.; Wang, Z.; Wang, Z. -G.; Wang, Z. -Y.; Wang, Z. -Y.; Wang, Z. -R.; Wei, B. -F.; Wei, S. -Q.; Wei, S. -Y.; Wei, X. -M.; Wei, Y. -J.; Wei, Y. -L.; Wiedner, U.; Wu, J. -J.; Wu, J.; Wu, Q.; Wu, S.; Wu, X.; Wu, X. -G.; Wu, X.; Wu, Y. -C.; Wu, Y. -S.; Xia, L.; Xiao, Z. -G.; Xie, C. -J.; Xie, K. -B.; Xiong, Z. -Y.; Xu, J.; Xu, L. -L.; Xu, S. -S.; Xu, X.; Xu, Y.; Yan, L.; Yan, W. -B.; Yan, X. -Q.; Yang, C.; Yang, H. -J.; Yang, H. -T.; Yang, J.; Yang, P. -H.; Yang, S.; Yang, T.; Yang, W. -H.; Yang, X. -H.; Yang, X. -T.; Yang, Y. -L.; Yang, Z. -W.; Yang, Z. -J.; Yao, D. -L.; Ye, Z. -C.; Yi, K.; Yi, L.; Yin, L. -X.; You, Z. -Y.; Yu, C.; Yu, Z.; Yuan, J.; Yuan, Y. -J.; Yury, N.; Zeng, Y. -F.; Zha, W. -M.; Zhang, A. -L.; Zhang, D. -Y.; Zhang, G. -Y.; Zhang, G. -H.; Zhang, H. -Y.; Zhang, H. -R.; Zhang, H. -H.; Zhang, H. -B.; Zhang, J. -L.; Zhang, J. -R.; Zhang, J. -H.; Zhang, J. -Y.; Zhang, J. -L.; Zhang, L.; Zhang, L.; Zhang, L. -H.; Zhang, L. -H.; Zhang, N.; Zhang, Q. -Y.; Zhang, Q. -Z.; Zhang, R.; Zhang, R. -Y.; Zhang, S. -R.; Zhang, S. -H.; Zhang, S. -L.; Zhang, W. -C.; Zhang, X. -Y.; Zhang, X. -M.; Zhang, X. -T.; Zhang, X.; Zhang, X. -H.; Zhang, Y. -X.; Zhang, Y. -T.; Zhang, Y. -H.; Zhang, Y. -F.; Zhang, Y.; Zhang, Y. -M.; Zhang, Z. -Y.; Zhang, Z. -Q.; Zhang, Z. -C.; Zhao, J. -Y.; Zhao, M. -G.; Zhao, Q.; Zhao, R. -G.; Zhao, Y. -C.; Zhao, Z. -X.; Zhao, Z. -G.; Zhemchugov, A.; Zheng, B.; Zheng, J. -X.; Zheng, L.; Zheng, R.; Zheng, X. -C.; Zheng, Y. -H.; Zhong, B.; Zhou, D. -C.; Zhou, D. -M.; Zhou, H.; Zhou, H.; Zhou, J.; Zhou, J. -X.; Zhou, Q. -S.; Zhou, S. -Y.; Zhou, X.; Zhou, X. -K.; Zhou, X. -R.; Zhou, Y. -J.; Zhou, Y.; Zhou, Y. -M.; Zhou, Z. -R.; Zhu, B.; Zhu, J. -Y.; Zhu, J. -Y.; Zhu, L.; Zhu, R. -L.; Zhu, X. -H.; Zhu, Y. -C.; Zhu, Z.; Zobov, M.; Zong, Y.; Zou, B. -S.; Zou, Y.; Zu, J.. - In: NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES. - ISSN 1001-8042. - 36:12(2025), pp. 1-170. [10.1007/s41365-025-01833-x]
Tipologia:
Versione editoriale (versione pubblicata con il layout dell'editore)
Licenza:
Creative commons
Dimensione
37.1 MB
Formato
Adobe PDF
37.1 MB
Adobe PDF
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/1760676
Citazioni
ND
8
ND
social impact
Conferma cancellazione
Sei sicuro che questo prodotto debba essere cancellato?
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.