il lavoro descritto in questo articolo ha portato allo sviluppo di un modello analitico dello shift della tensione di soglia basato sulla degradazione di ossidi in MOSFET soggetti a invecchiamento. Il modello è stato validato con esperimenti su dispositivi di qualità di produzione. Sulla base del modello è possibile estrapolare  il tempo medio alla rottura 

A comprehensive study of negative bias temperature instability in MOS structures / Irrera, Fernanda; Broccoli, Giordano. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 155:(2024), pp. 1-6. [10.1016/j.microrel.2024.115371]

A comprehensive study of negative bias temperature instability in MOS structures

Irrera, Fernanda
Conceptualization
;
2024

Abstract

il lavoro descritto in questo articolo ha portato allo sviluppo di un modello analitico dello shift della tensione di soglia basato sulla degradazione di ossidi in MOSFET soggetti a invecchiamento. Il modello è stato validato con esperimenti su dispositivi di qualità di produzione. Sulla base del modello è possibile estrapolare  il tempo medio alla rottura 
2024
shift della tensione di soglia; degradazione dell'ossido; tempo medio di rottura di MOSFET
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
A comprehensive study of negative bias temperature instability in MOS structures / Irrera, Fernanda; Broccoli, Giordano. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 155:(2024), pp. 1-6. [10.1016/j.microrel.2024.115371]
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