il lavoro descritto in questo articolo ha portato allo sviluppo di un modello analitico dello shift della tensione di soglia basato sulla degradazione di ossidi in MOSFET soggetti a invecchiamento. Il modello è stato validato con esperimenti su dispositivi di qualità di produzione. Sulla base del modello è possibile estrapolare il tempo medio alla rottura
A comprehensive study of negative bias temperature instability in MOS structures / Irrera, Fernanda; Broccoli, Giordano. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - 155:(2024), pp. 1-6. [10.1016/j.microrel.2024.115371]
A comprehensive study of negative bias temperature instability in MOS structures
Irrera, Fernanda
Conceptualization
;
2024
Abstract
il lavoro descritto in questo articolo ha portato allo sviluppo di un modello analitico dello shift della tensione di soglia basato sulla degradazione di ossidi in MOSFET soggetti a invecchiamento. Il modello è stato validato con esperimenti su dispositivi di qualità di produzione. Sulla base del modello è possibile estrapolare il tempo medio alla rottura| File | Dimensione | Formato | |
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