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This Perspective presents an overview on the epitaxial growth and optical properties of GaAs quantum dots obtained with the droplet etching method as high-quality sources of quantum light. We illustrate recent achievements regarding the generation of single photons and polarization entangled photon pairs and the use of these sources in applications of central importance in quantum communication such as entanglement swapping and quantum key distribution. (C) 2021 Author(s).
GaAs quantum dots grown by droplet etching epitaxy as quantum light sources / Filipe Covre da Silva, Saimon; Undeutsch, Gabriel; Lehner, Barbara; Manna, Santanu; Krieger, Tobias M.; Reindl, Marcus; Schimpf, Christian; Trotta, Rinaldo; Rastelli, Armando. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 119:12(2021), p. 120502. [10.1063/5.0057070]
GaAs quantum dots grown by droplet etching epitaxy as quantum light sources
Saimon Filipe Covre da Silva;Gabriel Undeutsch;Barbara Lehner;Santanu Manna;Tobias M. Krieger;Marcus Reindl;Christian Schimpf;Rinaldo Trotta;Armando Rastelli
2021
Abstract
This Perspective presents an overview on the epitaxial growth and optical properties of GaAs quantum dots obtained with the droplet etching method as high-quality sources of quantum light. We illustrate recent achievements regarding the generation of single photons and polarization entangled photon pairs and the use of these sources in applications of central importance in quantum communication such as entanglement swapping and quantum key distribution. (C) 2021 Author(s).
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
GaAs quantum dots grown by droplet etching epitaxy as quantum light sources / Filipe Covre da Silva, Saimon; Undeutsch, Gabriel; Lehner, Barbara; Manna, Santanu; Krieger, Tobias M.; Reindl, Marcus; Schimpf, Christian; Trotta, Rinaldo; Rastelli, Armando. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 119:12(2021), p. 120502. [10.1063/5.0057070]
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
