High Energy Barrier for Defect Creation in Thin-Film Transistors based on Hot-Wire amorphous Silicon / Stannowski, B; SCHROPP R. E., I; Nascetti, Augusto. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 75(23):(1999), pp. 3674-3676. [10.1063/1.125425]

High Energy Barrier for Defect Creation in Thin-Film Transistors based on Hot-Wire amorphous Silicon

NASCETTI, Augusto
1999

1999
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
High Energy Barrier for Defect Creation in Thin-Film Transistors based on Hot-Wire amorphous Silicon / Stannowski, B; SCHROPP R. E., I; Nascetti, Augusto. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 75(23):(1999), pp. 3674-3676. [10.1063/1.125425]
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