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EnglishThis article investigates the stability of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) p-i-n junctions employed as temperature sensors in lab-on-chip (LoC) applications. The devices have been tested under forward current injection and different temperatures (from room temperature up to 90 °C) in order to reproduce the practical operating conditions. Two sets of devices with different diborane concentrations in the p-doped layer have been investigated as a case study. For both sets, a temperature-drift error of 0.05 °C/h and a sensitivity around 3 mV/°C in the range between 30 °C and 90 °C have been achieved. These results demonstrate the device suitability as a thin-film temperature sensor integrated into LoC systems that implement thermal treatment of the biological samples as, for example, DNA amplification.
On the Stability of Amorphous Silicon Temperature Sensors / Lovecchio, N.; Caputo, D.; Costantini, F.; Di Meo, V.; Nascetti, A.; De Cesare, G.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 67:8(2020), pp. 3348-3354. [10.1109/TED.2020.2999391]
| Titolo: | On the Stability of Amorphous Silicon Temperature Sensors | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2020 | |
| Rivista: | ||
| Citazione: | On the Stability of Amorphous Silicon Temperature Sensors / Lovecchio, N.; Caputo, D.; Costantini, F.; Di Meo, V.; Nascetti, A.; De Cesare, G.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 67:8(2020), pp. 3348-3354. [10.1109/TED.2020.2999391] | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11573/1435279 | |
| Appartiene alla tipologia: | 01a Articolo in rivista |
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| File | Note | Tipologia | Licenza | |
|---|---|---|---|---|
| Lovecchio_On-the-Stability_2020.pdf | Versione editoriale (versione pubblicata con il layout dell'editore) | Tutti i diritti riservati (All rights reserved) | Administrator Richiedi una copia |
http://hdl.handle.net/11573/1435279
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