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Scandium can be used to influence the stoichiometry of SiC during growth of the hexagonal polytypes. Using PL-EPR and total energy calculations in the framework of density functional theory, scandiurn is predicted to be built in predominantly at the Si-sublattice in form of Sc-Si acceptors with acceptor levels at 0.55 eV (6H-SiC) and 0.48 eV (4H-SiC). In addition, new PL-EPR spectra are found with a large anisotropy in the g-tensor suggesting defect pairs as an origin.
New insight in scandium-mediated growth techniques: Sc-related defects in 4H-SiC and 6H-SiC / Gerstmann, U.; Greulich-Weber, ; S., and Rauls; Spaeth, J. -M.; Kalabukhova, E. N.; Mokhov, E. N.; Mauri, F.. - 556-557:(2007), pp. 469-472.
New insight in scandium-mediated growth techniques: Sc-related defects in 4H-SiC and 6H-SiC
Gerstmann, U.;Greulich-Weber;S. and Rauls;Spaeth, J. -M.;Kalabukhova, E. N.;Mokhov, E. N.;Mauri, F.
2007
Abstract
Scandium can be used to influence the stoichiometry of SiC during growth of the hexagonal polytypes. Using PL-EPR and total energy calculations in the framework of density functional theory, scandiurn is predicted to be built in predominantly at the Si-sublattice in form of Sc-Si acceptors with acceptor levels at 0.55 eV (6H-SiC) and 0.48 eV (4H-SiC). In addition, new PL-EPR spectra are found with a large anisotropy in the g-tensor suggesting defect pairs as an origin.
scandium; crystal growth; paramagnetic resonance; g-tensor; densityfunctional theory
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
New insight in scandium-mediated growth techniques: Sc-related defects in 4H-SiC and 6H-SiC / Gerstmann, U.; Greulich-Weber, ; S., and Rauls; Spaeth, J. -M.; Kalabukhova, E. N.; Mokhov, E. N.; Mauri, F.. - 556-557:(2007), pp. 469-472.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/1337194
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.