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We have followed by Atomic Force Microscopy (AFM) the epitaxial growth of InAs on GaAs(001) starting from the initial formation of a strained two-dimensional wetting layer up to the self-assembled nucleation and growth of 3D nanoparticles. In this work we underline many aspects of the morphology of this system, which substantiate the role either of kinetics on thermodynamics in the process of growth as well as the role of surface instabilities in controlling lateral ordering of the nanoaggregates.
Morphology of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(001) / Arciprete, F., Patella, F., Fanfoni, M., Nufris, S., Placidi, E., Schiumarini, D., Balzarotti, A.. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 696:(2002), pp. 195-200.
Morphology of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(001)
Arciprete F.;Patella F.;Fanfoni M.;Nufris S.;Placidi E.;Schiumarini D.;Balzarotti A.
2002
Abstract
We have followed by Atomic Force Microscopy (AFM) the epitaxial growth of InAs on GaAs(001) starting from the initial formation of a strained two-dimensional wetting layer up to the self-assembled nucleation and growth of 3D nanoparticles. In this work we underline many aspects of the morphology of this system, which substantiate the role either of kinetics on thermodynamics in the process of growth as well as the role of surface instabilities in controlling lateral ordering of the nanoaggregates.
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Morphology of self-assembled InAs quantum dots on GaAs(001) / Arciprete, F., Patella, F., Fanfoni, M., Nufris, S., Placidi, E., Schiumarini, D., Balzarotti, A.. - In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS. - ISSN 0272-9172. - 696:(2002), pp. 195-200.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/1327424
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
