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We investigated on the growth, by molecular beam epitaxy, of InAs quantum dots on nanoscale areas of the GaAs(001) surface defined by an e-beam lithographed SiO2 mask. The selective self-assembling of the InAs dots inside the holes of the mask was obtained by a suitable choice of the growth parameters and of the pattern size. Photoluminescence from the spatially confined dots showed a blue-shifted emission but a radiative decay comparable to that of dots nucleated on the extended GaAs surface.
Selective growth of InAs quantum dots on SiO2-masked GaAs / Arciprete, F., Placidi, E., Pattella, F., Fanfoni, M., Balzarotti, A., Vinattieri, A., Cavigli, L., Abbarchi, M., Gurioli, M., Lunghi, L., Gerardino, A.. - In: JOURNAL OF NANOPHOTONICS. - ISSN 1934-2608. - 3:1(2009). [10.1117/1.3266494]
Selective growth of InAs quantum dots on SiO2-masked GaAs
We investigated on the growth, by molecular beam epitaxy, of InAs quantum dots on nanoscale areas of the GaAs(001) surface defined by an e-beam lithographed SiO2 mask. The selective self-assembling of the InAs dots inside the holes of the mask was obtained by a suitable choice of the growth parameters and of the pattern size. Photoluminescence from the spatially confined dots showed a blue-shifted emission but a radiative decay comparable to that of dots nucleated on the extended GaAs surface.
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Selective growth of InAs quantum dots on SiO2-masked GaAs / Arciprete, F., Placidi, E., Pattella, F., Fanfoni, M., Balzarotti, A., Vinattieri, A., Cavigli, L., Abbarchi, M., Gurioli, M., Lunghi, L., Gerardino, A.. - In: JOURNAL OF NANOPHOTONICS. - ISSN 1934-2608. - 3:1(2009). [10.1117/1.3266494]
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/1326874
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
