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СТАТИСТИЧЕСКОЕ РАССМОТРЕНИЕ АНСАМБЛЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК INAS НА ПОВЕРХНОСТИ (001)GAAS STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001) / Galitsyn YU, G; Lyamkina, A A; Moshchenko, S P; Dmitriev, D V; Toropov, A I; Mikhailov YU, I; Placidi, E. - In: DOKLADY AKADEMII NAUK VYSŠEJ ŠKOLY ROSSII. - ISSN 1727-2769. - 2:(2012), pp. 27-33.

СТАТИСТИЧЕСКОЕ РАССМОТРЕНИЕ АНСАМБЛЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК INAS НА ПОВЕРХНОСТИ (001)GAAS STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001)

Placidi E
2012

Abstract

http://elibrary.ru/item.asp?id=18059795
2012
Semiconductor quantum dots, Nanocrystals, Wetting layer
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
СТАТИСТИЧЕСКОЕ РАССМОТРЕНИЕ АНСАМБЛЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК INAS НА ПОВЕРХНОСТИ (001)GAAS STATISTICAL APPROACH TO THE STRAIN-DRIVEN FORMATION OF InAs QUANTUM DOTS ON GaAs(001) / Galitsyn YU, G; Lyamkina, A A; Moshchenko, S P; Dmitriev, D V; Toropov, A I; Mikhailov YU, I; Placidi, E. - In: DOKLADY AKADEMII NAUK VYSŠEJ ŠKOLY ROSSII. - ISSN 1727-2769. - 2:(2012), pp. 27-33.
01a Articolo in rivista
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