Strain-induced tuning of the emission wavelength of high quality GaAs/AlGaAs quantum dots in the spectral range of the87Rb D2lines / Kumar, S.; Trotta, R.; Zallo, E.; Plumhof, J. D.; Atkinson, P.; Rastelli, A.; Schmidt, O. G.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 99:16(2011), p. 161118. [10.1063/1.3653804]

Strain-induced tuning of the emission wavelength of high quality GaAs/AlGaAs quantum dots in the spectral range of the87Rb D2lines

Trotta, R.
;
2011

2011
aluminium compounds; excitons; gallium arsenide; III-V semiconductors; membranes; semiconductor quantum dots; Physics and Astronomy (miscellaneous)
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Strain-induced tuning of the emission wavelength of high quality GaAs/AlGaAs quantum dots in the spectral range of the87Rb D2lines / Kumar, S.; Trotta, R.; Zallo, E.; Plumhof, J. D.; Atkinson, P.; Rastelli, A.; Schmidt, O. G.. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 99:16(2011), p. 161118. [10.1063/1.3653804]
File allegati a questo prodotto
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/1091974
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 43
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 46
social impact