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We investigate carrier dynamics in optically excited n-i-n GaAs/(AlGa)As resonant tunneling diodes that incorporate a single layer of InAs quantum dots in the center of the GaAs quantum well (QW). Voltage-tunable resonant changes in the dot luminescence are observed and are discussed in terms of the tunneling of carriers into the resonant states of the QW and of the capture of carriers from the QW into the dots.
Modulation of the luminescence spectra of InAs self-assembled quantum dots by resonant tunneling through a quantum well / A., Patane; Polimeni, Antonio; L., Eaves; P. C., Main; M., Henini; A. E., Belayaev; Y. V., Dubrovskii; P. N., Brounkov; E. E., Vdovin; Y. N., Khanin; G., Hill. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1550-235X. - STAMPA. - 62:20(2000), pp. 13595-13598. [10.1103/physrevb.62.13595]
Modulation of the luminescence spectra of InAs self-assembled quantum dots by resonant tunneling through a quantum well
A. Patane;POLIMENI, Antonio;L. Eaves;P. C. Main;M. Henini;A. E. Belayaev;Y. V. Dubrovskii;P. N. Brounkov;E. E. Vdovin;Y. N. Khanin;G. Hill
2000
Abstract
We investigate carrier dynamics in optically excited n-i-n GaAs/(AlGa)As resonant tunneling diodes that incorporate a single layer of InAs quantum dots in the center of the GaAs quantum well (QW). Voltage-tunable resonant changes in the dot luminescence are observed and are discussed in terms of the tunneling of carriers into the resonant states of the QW and of the capture of carriers from the QW into the dots.
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Modulation of the luminescence spectra of InAs self-assembled quantum dots by resonant tunneling through a quantum well / A., Patane; Polimeni, Antonio; L., Eaves; P. C., Main; M., Henini; A. E., Belayaev; Y. V., Dubrovskii; P. N., Brounkov; E. E., Vdovin; Y. N., Khanin; G., Hill. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1550-235X. - STAMPA. - 62:20(2000), pp. 13595-13598. [10.1103/physrevb.62.13595]
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/101351
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
