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The temperature coefficients of the refractive indices of Ge, Si, InAs, GaAs, InP, GaP, CdSe, ZnSe, and ZnS are
measured by a prism technique in spectral ranges of up to X = 1 2 ,um at 15-350 C. Numerical values of equivalent oscillator
parameters describing the n(X) dispersion, as well as the high-frequency e and low-frequency eo dielectric
constants, are determined with precision. Taking into account the band structure of the above semiconductors, the
values dn/dT have been calculated and show good agreement with experimental data.
Temperature dependence of the refractive index in semiconductors / Bertolotti, M.; Bogdanov, V.; Ferrari, A.; Jaskow, A.; Nazorova, N.; Pikitin, A.; Schirone, Luigi. - In: JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA. B, OPTICAL PHYSICS. - ISSN 0740-3224. - STAMPA. - 7:6(1990), pp. 918-922. [10.1364/JOSAB.7.000918]
Temperature dependence of the refractive index in semiconductors
BERTOLOTTI M.;BOGDANOV V.;FERRARI A.;JASKOW A.;NAZOROVA N.;PIKITIN A.;SCHIRONE, Luigi
1990
Abstract
The temperature coefficients of the refractive indices of Ge, Si, InAs, GaAs, InP, GaP, CdSe, ZnSe, and ZnS are
measured by a prism technique in spectral ranges of up to X = 1 2 ,um at 15-350 C. Numerical values of equivalent oscillator
parameters describing the n(X) dispersion, as well as the high-frequency e and low-frequency eo dielectric
constants, are determined with precision. Taking into account the band structure of the above semiconductors, the
values dn/dT have been calculated and show good agreement with experimental data.
01 Pubblicazione su rivista::01a Articolo in rivista
Temperature dependence of the refractive index in semiconductors / Bertolotti, M.; Bogdanov, V.; Ferrari, A.; Jaskow, A.; Nazorova, N.; Pikitin, A.; Schirone, Luigi. - In: JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA. B, OPTICAL PHYSICS. - ISSN 0740-3224. - STAMPA. - 7:6(1990), pp. 918-922. [10.1364/JOSAB.7.000918]
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11573/75761
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
