Effect of pulsed stress on leakage current in mos capacitors for non-volatile memory applications / Caputo, Domenico; R., Feruglio; Irrera, Fernanda; B., Riccò. - STAMPA. - (2002), pp. 567-570. (Intervento presentato al convegno 32nd European Solid-State Device Research tenutosi a Firenze nel settembre 2002) [10.1109/ESSDERC.2002.194994].

Effect of pulsed stress on leakage current in mos capacitors for non-volatile memory applications

CAPUTO, Domenico;IRRERA, Fernanda;
2002

2002
32nd European Solid-State Device Research
04 Pubblicazione in atti di convegno::04b Atto di convegno in volume
Effect of pulsed stress on leakage current in mos capacitors for non-volatile memory applications / Caputo, Domenico; R., Feruglio; Irrera, Fernanda; B., Riccò. - STAMPA. - (2002), pp. 567-570. (Intervento presentato al convegno 32nd European Solid-State Device Research tenutosi a Firenze nel settembre 2002) [10.1109/ESSDERC.2002.194994].
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