Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures / Trotta, Rinaldo; Polimeni, Antonio; Capizzi, Mario; D., Giubertoni; M., Bersani; G., Bisognin; M., Berti; S., Rubini; F., Martelli; L., Mariucci; M., Francardi; A., Gerardino. - In: APPLIED PHYSICS LETTERS. - ISSN 0003-6951. - 92:(2008), pp. 221901-1-221901-3. [10.1063/1.2939000]
Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane-engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures
TROTTA, RINALDO;POLIMENI, Antonio;CAPIZZI, Mario;
2008
File allegati a questo prodotto
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
